[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置及測量方法

在審

• 申請號: 201410277039.8
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104076537A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 林子錦;趙海生;張鐵林
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置及測量方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。TFT-LCD陣列基板是TFT-LCD的重要部件之一。在陣列基板上形成有橫縱交叉的柵線和數據線，限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，簡稱TFT)、像素電極和公共電極，TFT的漏電極和像素電極電性連接，源電極和數據線電性連接，柵電極和柵線電性連接。數據線上傳輸的像素電壓通過薄膜晶體管輸出至像素電極，像素電極與公共電極配合，形成驅動液晶分子偏轉的驅動電場，實現特定灰階的顯示。

可見，TFT的電學特性直接影響TFT-LCD的顯示品質，因此，在實際生產過程中，都需要對TFT的電學特性進行測量。其中，TFT的電學特性主要包括Ion(TFT工作電流)，Ioff(反向截止電流)，Vth(開啟電壓)，Mobility(遷移率)，每一個參數都非常重要。目前測量TFT電學特性的設備在測量時需要將對應的探針與配線接觸，才能測量出電學特性值，如柵線(Gate)探針與柵線接觸，數據(Data)探針與數據線接觸，像素(Pixel)探針與漏電極或像素電極接觸。通過Gate探針加載0～20V，Data探針加載15V電信號，進而通過Pixel探針輸出的信號獲取TFT的電學特性值。

當公共電極不形成在陣列基板上時，像素電極位于陣列基板的最上層，測量TFT電學特性的Pixel探針可以直接與像素電極接觸，來測量TFT的電學特性值。但是，當公共電極形成在陣列基板上時，公共電極通常位于陣列基板的最上層，像素電極位于公共電極的下方，導致測量設備的Pixel探針無法直接與像素電極接觸，從而無法測量實際TFT的電學特性。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置及測量方法，用以解決當公共電極形成在陣列基板上時，測量TFT電學特性的設備的Pixel探針無法直接與像素電極接觸，從而無法測量TFT的電學特性值的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種陣列基板，包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述像素電極和薄膜晶體管的上方覆蓋有鈍化層，所述公共電極位于所述鈍化層的上方，并與所述像素電極的位置對應，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極電性連接，其中，所述鈍化層中形成有鈍化層過孔；

每個像素單元還包括填充所述鈍化層過孔的電性連接塊；

所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與所述像素電極或漏電極接觸設置，另一端暴露在所述陣列基板的表面。

如上所述的陣列基板，優選的是，所述電性連接塊與公共電極由同一透明導電層通過一次構圖工藝同時形成，所述公共電極設置于所述陣列基板的最上層。

如上所述的陣列基板，優選的是，所述電性連接塊貫穿所述鈍化層過孔，且所述電性連接塊的一端與所述像素電極或所述漏電極之間的接觸面積小于暴露在所述陣列基板的表面的另一端的截面面積，暴露在所述陣列基板的表面的另一端覆蓋在所述鈍化層的表面。

如上所述的陣列基板，優選的是，所述薄膜晶體管的漏電極設置于所述像素電極的上方，且與所述像素電極直接搭接；所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與薄膜晶體管的漏電極接觸設置。

如上所述的陣列基板，優選的是，所述像素電極設置于所述薄膜晶體管的漏電極的上方，且與所述薄膜晶體管的漏電極直接搭接；所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與所述像素電極接觸設置。

本發明還提供一種顯示裝置，其包括如上所述的陣列基板。

本發明還提供一種陣列基板的制作方法，包括：

形成多個像素單元；

形成每個像素單元的步驟包括：

形成薄膜晶體管和像素電極的圖案；

在所述像素電極和薄膜晶體管的上方形成鈍化層；

在所述鈍化層的上方形成公共電極的圖案，所述公共電極與像素電極的位置對應，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極電性連接，其中，形成每個像素單元的步驟還包括：

對所述鈍化層進行構圖工藝形成鈍化層過孔；

形成一填充所述鈍化層過孔的電性連接塊，所述電性連接塊的一端與所述像素電極或漏電極接觸設置，另一端暴露在所述陣列基板的表面。