[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置及測量方法

在審

• 申請號: 201410277039.8
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104076537A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 林子錦;趙海生;張鐵林
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種陣列基板，包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述像素電極和薄膜晶體管的上方覆蓋有鈍化層，所述公共電極位于所述鈍化層的上方，并與所述像素電極的位置對應，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極電性連接，其特征在于，所述鈍化層中形成有鈍化層過孔；

每個像素單元還包括填充所述鈍化層過孔的電性連接塊；

所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與所述像素電極或漏電極接觸設置，另一端暴露在所述陣列基板的表面。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述電性連接塊與公共電極由同一透明導電層通過一次構圖工藝同時形成，所述公共電極設置于所述陣列基板的最上層。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述電性連接塊貫穿所述鈍化層過孔，且所述電性連接塊的一端與所述像素電極或所述漏電極之間的接觸面積小于暴露在所述陣列基板的表面的另一端的截面面積，暴露在所述陣列基板的表面的另一端覆蓋在所述鈍化層的表面。

4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏電極設置于所述像素電極的上方，且與所述像素電極直接搭接；所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與薄膜晶體管的漏電極接觸設置。

5.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極設置于所述薄膜晶體管的漏電極的上方，且與所述薄膜晶體管的漏電極直接搭接；所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與所述像素電極接觸設置。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，包括：

形成多個像素單元；

形成每個像素單元的步驟包括：

形成薄膜晶體管和像素電極的圖案；

在所述像素電極和薄膜晶體管的上方形成鈍化層；

在所述鈍化層的上方形成公共電極的圖案，所述公共電極與像素電極的位置對應，所述薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極電性連接，其特征在于，形成每個像素單元的步驟還包括：

對所述鈍化層進行構圖工藝形成鈍化層過孔；

形成一填充所述鈍化層過孔的電性連接塊，所述電性連接塊的一端與所述像素電極或漏電極接觸設置，另一端暴露在所述陣列基板的表面。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述公共電極和電性連接塊的步驟具體為：

在所述鈍化層上形成透明導電層；

對所述透明導電層進行構圖工藝，形成所述公共電極和電性連接塊的圖案。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述電性連接塊貫穿所述鈍化層過孔，且所述電性連接塊的一端與所述像素電極或所述漏電極之間的接觸面積小于暴露在所述陣列基板的表面的另一端的截面面積，暴露在所述陣列基板的表面的另一端覆蓋在所述鈍化層的表面。

10.一種對權利要求1-5任一項所述的陣列基板的電學特性進行測量的方法，包括：

將柵線探針與陣列基板的柵線接觸；

將數據探針與陣列基板的數據線接觸，其特征在于，

所述陣列基板的鈍化層中形成有鈍化層過孔，所述陣列基板還包括一填充所述鈍化層過孔的電性連接塊，所述電性連接塊的一端通過所述鈍化層過孔與所述像素電極或漏電極接觸設置，另一端暴露在所述陣列基板的表面；

所述測試方法還包括：

將像素探針與所述電性連接塊接觸，對柵線探針和數據線探針加載預設的電壓，通過像素探針輸出的信號獲取薄膜晶體管的電學特性值。