[發明專利]硅光電倍增探測器

有效

• 申請號: 201410276066.3
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104022130B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 韓德俊;李晨暉;趙天琦;何燃
• 申請（專利權）人: 北京師范大學
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L31/0224
• 代理公司: 北京力量專利代理事務所(特殊普通合伙)11504
• 代理人: 宋林清

1.一種硅光電倍增探測器，由10至10萬個雪崩光電二極管(APD)單元集成在同一個硅外延片上組成，正面電極位于器件的表面，背面電極在硅襯底一側，在橫向方向，APD單元之間由所圍繞的PN結的較深耗盡區所隔離，在縱向方向，每個APD單元都串聯一個雪崩淬滅電阻，雪崩淬滅電阻由所述硅外延片外延層制備，所有APD單元在器件表面由均勻連續的重摻雜硅電阻層連接，所述重摻雜硅電阻層用作位置靈敏探測時的分流電阻，其特征是：所述正面電極有4個，分別位于探測器的四條邊上，即呈四邊形布局，每個正面電極獨立輸出信號。

2.一種硅光電倍增探測器，由10至10萬個雪崩光電二極管(APD)單元集成在同一個硅外延片上組成，正面電極位于器件的表面，背面電極在硅襯底一側，在橫向方向，APD單元之間由所圍繞的PN結的較深耗盡區所隔離，在縱向方向，每個APD單元都串聯一個雪崩淬滅電阻，雪崩淬滅電阻由所述硅外延片外延層制備，所有APD單元在器件表面由均勻連續的重摻雜硅電阻層連接，所述重摻雜硅電阻層用作位置靈敏探測時的分流電阻，其特征是：所述正面電極有4個，分別位于探測器的四個角上，即呈釘扎型布局，每個正面電極獨立輸出信號。

3.一種硅光電倍增探測器，由10至10萬個雪崩光電二極管(APD)單元集成在同一個硅外延片上組成，正面電極位于器件的表面，背面電極在硅襯底一側，在橫向方向，APD單元之間由所圍繞的PN結的較深耗盡區所隔離，在縱向方向，每個APD單元都串聯一個雪崩淬滅電阻，雪崩淬滅電阻由所述硅外延片外延層制備，所有APD單元在器件表面由均勻連續的重摻雜硅電阻層連接，所述重摻雜硅電阻層用作位置靈敏探測時的分流電阻，其特征是：所述正面電極有2個，由二個相互平行并與探測器邊沿平行的金屬電極條構成，每個正面電極獨立輸出信號。

4.如權利要求1所述的硅光電倍增探測器，其特征在于：所述硅外延片導電類型為P型或N型。

5.如權利要求1所述的硅光電倍增探測器，其特征在于：所述重摻雜硅電阻層的導電類型為N型或P型。

6.如權利要求2所述的硅光電倍增探測器，其特征在于：所述硅外延片導電類型為P型或N型。

7.如權利要求2所述的硅光電倍增探測器，其特征在于：所述重摻雜硅電阻層的導電類型為N型或P型。

8.如權利要求3所述的硅光電倍增探測器，其特征在于：所述硅外延片導電類型為P型或N型。

9.如權利要求3所述的硅光電倍增探測器，其特征在于：所述重摻雜硅電阻層的導電類型為N型或P型。