[發(fā)明專利]具有穿通接觸部的ASIC構件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410275934.6
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104241228B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發(fā)明（設計）人: H·韋伯;H·屈佩爾斯;J·弗萊;J·賴因穆特;N·戴維斯
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

本發(fā)明涉及一種用于ASIC構件中的穿通接觸部的實現方案，所述ASIC構件能夠簡單地集成在ASIC襯底的CMOS工藝中。所述ASIC構件(120)具有有效的前側，在所述有效的前側中實現電路功能(20)。所述至少一個穿通接觸部(15)應建立所述有效的前側與所述構件背側之間的電連接。根據本發(fā)明，在前側通過至少一個完全填充的前側溝槽(151)限定所述穿通接觸部(15)，而在背側通過至少一個沒有完全填充的背側溝槽(154)限定所述穿通接觸部。所述背側溝槽(154)通到經填充的前側溝槽(151)中。

技術領域

本發(fā)明一般性地涉及一種具有有效的前側的ASIC(專用集成電路)構件和至少一個穿通接觸部(Durchkontakt)，在所述前側中實現電路功能，所述穿通接觸部建立有效的前側與構件背側之間的電連接。

背景技術

在垂直混合集成部件的范疇內，具有穿通接觸部的ASIC構件的使用特別重要。這種部件通常包括多個不同的構件，它們以芯片疊堆的形式相互重疊地裝配。有利地，一個部件的多個構件的不同功能性大多相互補充地進行應用。經常借助穿通接觸部實現垂直混合集成部件的各個構件之間的電連接及其外部接通，這不僅由于微型化而且在二級裝配時是有利的。在垂直混合集成部件中拼裝的構件不僅可以涉及具有微機械功能性的MEMS(微機電系統(tǒng))構件而且可以涉及具有純電路技術功能性的ASIC構件。此外，在垂直混合集成部件的范疇內，ASIC構件也經常用于MEMS構件的微機械結構的加蓋。例如，具有微機械傳感器構件和ASIC構件的垂直混合集成慣性傳感器部件是已知的，在所述ASIC構件上集成有用于傳感器信號的分析處理電路。在所述慣性傳感器部件中，ASIC構件裝配在MEMS構件的傳感器結構上方并且相對環(huán)境干擾封閉所述傳感器結構。由實際已知一系列用于ASIC構件中的穿通接觸部的實現方案，這些實現方案也適合垂直混合集成部件的構造并且尤其也適合所謂的晶片級封裝，在所述晶片級封裝中各個構件在晶片復合體中裝配并且隨后才作為封裝分割。

根據一種已知的方式，在ASIC襯底工藝的范疇中施加穿通接觸部，更確切地，作為ASIC襯底中的盲口。然后以金屬——例如以銅或鎢或者以金屬層和介質完全填充所述盲口，從而ASIC襯底的表面對于進一步處理是盡可能封閉和平坦的。在ASIC襯底裝配在另一襯底上之后才在背側暴露并且接通所述形式的穿通接觸部，其方式例如是，對ASIC襯底進行背側減薄。在所述實現方式中，通過盲口或者過孔(Via)的完全填充來相對外部影響保護穿通接觸部的金屬內核或者金屬印制導線。

因為這種過孔通常具有大的縱橫比，所以不僅用于在ASIC襯底中產生相應的開口的結構化方法而且所述填充是相對費事的。

發(fā)明內容

借助本發(fā)明提出一種用于ASIC構件中的穿通接觸部的明顯簡化制造工藝的實現方案。

根據本發(fā)明，在前側通過至少一個完全填充的前側溝槽(Trench)限定穿通接觸部，而在背側通過至少一個沒有完全填充的背側溝槽限定穿通接觸部。背側溝槽通到經填充的前側溝槽中。

因此，ASIC襯底中的穿通接觸部在此是前側處理與背側處理的組合的結果。在兩側對ASIC襯底進行結構化，以便跨接襯底厚度。因此，不僅前側溝槽的縱橫比而且背側溝槽的縱橫比小于襯底中單側產生的穿通接觸部。因為僅僅填充前側溝槽，所以填充開銷在此也是相對較低的。根據本發(fā)明的實現方案的特別優(yōu)點是，至少前側處理能夠非常好地集成在ASIC襯底的CMOS工藝中。即可以如底部溝槽絕緣(Bottom Trench Isolation)那樣簡單地實施前側處理，所述底部溝槽絕緣通常用于與ASIC襯底中的各個電路部件的電絕緣。

原則上能夠通過不同的方式方法實現用于ASIC襯底中的穿通接觸部的根據本發(fā)明的實現方案，尤其這涉及穿通接觸部借助溝槽的限定。