[發明專利]一種高速BDI型像素單元電路在審
| 申請號： | 201410274502.3 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN104065890A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發明（設計）人： | 孫偉鋒;蘇軍;朱長峰;劉金岑;徐申;陸生禮;時龍興 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H04N5/33 | 分類號： | H04N5/33;H04N5/378 |
| 代理公司： | 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高速 bdi 像素 單元 電路 | ||
1.一種高速BDI型像素單元電路，其特征在于，包括依次連接的輸入放大器、探測器偏壓復位電路、注入管、積分/復位控制電路、采樣保持電路和傳輸電路，其中：
輸入放大器包括NMOS管M1、M2、M5，PMOS管M3、M4，PMOS管M3、M4的源極互連并連接電源VDD，PMOS管M3、M4的柵極互連并與PMOS管M3的漏極、NMOS管M1的漏極連接在一起，PMOS管M4的漏極連接NMOS管M2的漏極，NMOS管M1的柵極連接外部控制信號Vcom，NMOS管M1、M2的源極互連并連接NMOS管M5的漏極，NMOS管M5的柵極連接偏置電壓Vb，源極接公共地；
探測器偏壓復位電路包括NMOS管M6，其柵極連接外部數字信號Vrst，漏極和源極分別連接輸入放大器中PMOS管M4的漏極和NMOS管M2的柵極；
注入管包括NMOS管M7，其柵極和源極分別連接探測器偏壓復位電路中NMOS管M6的漏極和源極；
積分/復位控制電路包括NMOS管M8和電容C1，NMOS管M8的柵極連接外部數字信號Vrst，NMOS管M8的漏極連接電容C1的一端和注入管NMOS管M7的漏極，NMOS管M8的源極連接電容C1的另一端并連接公共地；
采樣保持電路包括NMOS管M9和電容C2，NMOS管M9的柵極連接外部數字信號Vsh,NMOS管M9的漏極連接積分/復位控制電路中NMOS管M8的漏極，NMOS管M9的源極連接電容C2的一端，電容C2的另一端連接公共地；
傳輸電路包括NMOS管M10，其柵極連接外部數字信號Vrse，漏極連接采樣保持電路中NMOS管M9的源極，NMOS管M10的源極為像素單元電路的輸出端，輸出積分電壓。
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