[發(fā)明專利]半導體DBR、半導體發(fā)光器件及制造半導體DBR 的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410274243.4
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104242055A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 川島毅士
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種半導體分布式布拉格反射器，包括：

第一多層結(jié)構(gòu)，包括：

多個第一半導體層，以及

一個或更多個第二半導體層，每個第二半導體層都插入在所述多個第一半導體層中的對應一對第一半導體層之間；

第二多層結(jié)構(gòu)，包括：

多個第三半導體層，以及

一個或更多個第二半導體層，每個第二半導體層都插入在所述多個第三半導體層中的對應一對第三半導體層之間；以及

保護層，插入在所述第一多層結(jié)構(gòu)與所述第二多層結(jié)構(gòu)之間，

其中，

所述第二半導體層具有比所述第一半導體層低的分解溫度，

所述第三半導體層具有比所述第二半導體層低的分解溫度，

所述半導體分布式布拉格反射器具有在波長λ處的峰值反射率，

所述多個第一半導體層、所述一個或更多個第二半導體層和所述多個第三半導體層中的每一層都具有nλ/4的光學厚度，其中n是大于等于1的奇數(shù)，

所述保護層具有mλ/2的光學厚度，其中m是大于等于1的自然數(shù)，以及

所述保護層的與第二多層結(jié)構(gòu)形成接觸的一部分包括具有比所述第三半導體層高的分解溫度的材料。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，

所述第二半導體層具有比所述第一半導體層高的折射率，以及

所述第三半導體層具有比所述第二半導體層高的折射率。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，具有比所述第三半導體層高的分解溫度的材料與構(gòu)成所述第二半導體層的材料相同。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，構(gòu)成所述保護層的材料與構(gòu)成所述第二半導體層的材料相同。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，

所述第一半導體層包括AlGaN，

所述第二半導體層包括GaN，以及

所述第三半導體層包括InGaN。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體分布式布拉格反射器，包括依次重復堆疊的第一多層結(jié)構(gòu)、保護層、第二多層結(jié)構(gòu)和保護層。

7.一種半導體分布式布拉格反射器，包括：

第一半導體層；

第二半導體層，具有比第一半導體層低的分解溫度；以及

第三半導體層，具有比第二半導體層低的分解溫度，

其中，

所述半導體分布式布拉格反射器的一部分具有這樣的結(jié)構(gòu)：第三半導體層、第二半導體層、第三半導體層、第二半導體層、第一半導體層、第二半導體層和第一半導體層依次堆疊，

在該結(jié)構(gòu)中，插入在所述第三半導體層之間的第二半導體層的厚度不同于插入在所述第一半導體層與所述第三半導體層之間的第二半導體層的厚度，以及

在該結(jié)構(gòu)中，插入在所述第一半導體層之間的第二半導體層的厚度不同于插入在所述第一半導體層與所述第三半導體層之間的第二半導體層的厚度。

8.如權(quán)利要求7所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，

插入在所述第三半導體層之間的第二半導體層具有nλ/4的光學厚度，其中n是大于等于1的奇數(shù)，

插入在所述第一半導體層之間的第二半導體層具有nλ/4的光學厚度，其中n是大于等于1的奇數(shù)，以及

插入在所述第一半導體層與所述第三半導體層之間的第二半導體層具有mλ/2的光學厚度，其中m是大于等于1的自然數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，所述第一半導體層和所述第三半導體層具有nλ/4的光學厚度，其中n是大于等于1的奇數(shù)。

10.如權(quán)利要求7所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，

所述第二半導體層具有比所述第一半導體層大的折射率，以及

所述第三半導體層具有比所述第二半導體層大的折射率。

11.如權(quán)利要求7所述的半導體分布式布拉格反射器，

其中，

所述第一半導體層包括AlGaN，

所述第二半導體層包括GaN，以及

所述第三半導體層包括InGaN。