[發明專利]基板支撐裝置及具備其的基板處理裝置

有效

• 申請號: 201410274021.2
• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN104241073B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 樸镕均;徐泰旭;李來一
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/20;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11384
• 代理人: 鄭青松

技術領域

本發明涉及基板支撐裝置及具備其的基板處理裝置，詳細而言，涉及能夠調節等離子體分布的基板支撐裝置及具備其的基板處理裝置。

背景技術

半導體存儲器等各種電子元件由多種薄膜層疊制造。即，在基板上形成各種薄膜，使用寫真-蝕刻工序對如此形成的薄膜進行圖案化，使得形成元件結構。

薄膜根據材料有導電膜、電介質膜、絕緣膜等，制造薄膜的方法也很多樣。作為制造薄膜的方法，大致有物理方法及化學方法等。最近，為了高效制造薄膜，在制造工序中正在利用等離子體。在利用等離子體在基板上制造薄膜的情況下，能夠降低薄膜制造溫度，增加薄膜氣相沉積速度。

但是，在利用等離子體的情況下，在進行工序的腔室內，引起難以將等離子體控制在所需狀態的問題。

例如，在具備支撐基板的基板支架和與之相向的上部電極的工藝腔室內部制造薄膜時，在上部電極接入高頻電源，例如RF(radio frequency：射頻)電源，配備于基板支架的接地電極進行接地。因此，在上部電極與基板支架之間形成有等離子體，利用其在基板上形成薄膜。但是，此時生成的等離子體存在的問題是，在基板或基板支架的中心區域及邊緣區域，其分布或狀態顯示出差異。另外，如果這種等離子體分布或狀態因區域而異，則難以在基板上以均一的厚度制造薄膜。

因此，為了在基板上均一地制造薄膜，提出了調節氣體噴射器的結構、氣體噴射方式等的技術，但其存在過多耗費費用與時間的問題。

發明內容

(要解決的技術課題)

本發明提供能夠在基板及基板周邊部均一地控制等離子體分布的基板支撐裝置及基板處理裝置。

本發明提供能夠在基板上以均一的厚度制造薄膜的基板支撐裝置及基板處理裝置。

(解決的手段)

本發明一種實施形態的基板支撐裝置作為支撐基板的裝置，包括：基板支架，其在邊緣區域具有凸出的端坎部，供所述基板安放；第一接地電極，其安裝于所述基板支架內部的中心區域；第二接地電極，其與所述第一接地電極隔開，安裝于所述基板支架內部的邊緣區域；及控制部，其獨立地控制所述第一接地電極及第二接地電極。

其中，基板支架可以包括絕緣體材質，基板支架可以在所述第一接地電極及第二接地電極中的至少某一者的下側具備發熱體。

所述第一接地電極的大小可以小于所述基板，所述第二接地電極的內徑可以形成得大于所述基板，在所述第一接地電極的外周面可以形成有第一彎曲部，在所述第二接地電極的內周面可以形成有與所述第一彎曲部對應的第二彎曲部。在形成彎曲部的情況下，所述第一彎曲部的至少一部分可以凸出到所述基板的外側，所述第二彎曲部的至少一部分可以凸出到所述基板的內側。

另外，所述第二接地電極可以配置于比所述第一接地電極更高的位置，所述第二接地電極可以配置于所述端坎部區域，即端坎部的下部。

本發明實施形態的基板支撐裝置包括：腔室，其形成處理空間；基板支架，其配置于所述腔室的內部，支撐基板；及上部電極，其與所述基板支架相向配置，接入RF電源；所述基板支架具備在內部相互隔開并獨立地控制的多個接地電極，使得在所述上部電極與所述基板支架之間形成的等離子體均一形成至所述基板支架的邊緣區域。

其中，多個接地電極可以包括形狀與所述基板對應的第一接地電極及配置于所述第一接地電極的外側的第二接地電極，所述第一接地電極的大小可以小于所述基板，所述第二接地電極可以配置于所述基板的外側。

另外，多個接地電極可以包括：第一接地電極，其外周面上形成有至少一部分凸出到所述基板外側的第一彎曲部；及第二接地電極，其安裝于所述第一接地電極的外側，具有形成有與所述第一彎曲部對應的第二彎曲部的內周面。

另外，基板處理裝置可以包括控制部，其能夠分別調節在所述多個接地電極上形成的阻抗，此時，控制部可以包括可變電容器、可變線圈及可變阻抗體中的至少某一者。所述控制部可以使得在所述多個接地電極形成相互不同的阻抗。

另外，基板支架可以包括絕緣體，所述接地電極也可以在所述絕緣體內部以膜形態形成。

(發明效果)

根據本發明的實施形態，可以在基板和基板周邊部均一地控制等離子體分布或密度，可以在基板的中心區域和邊緣區域均一地控制等離子體分布或密度。另外，可以在各區域相同地或類似地控制在基板的中心區域和邊緣區域的上側形成的等離子體狀態。