[發明專利]多晶硅刻蝕方法在審
| 申請號： | 201410273574.6 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN105470120A | 公開（公告）日： | 2016-04-06 |
| 發明（設計）人： | 高慧慧;秦偉;楊渝書;李程 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 刻蝕 方法 | ||
1.一種多晶硅刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一半導體襯底；
按照從下至上的順序依次形成多晶硅層、BARC層以及光刻膠層覆 蓋所述半導體襯底的上表面后，圖形化所述光刻膠層形成具有柵極圖 形的光阻，并以該光阻為掩膜對所述BARC層進行刻蝕；
繼續采用具有各向同性刻蝕能力的含HBr的等離子體對所述光阻 和剩余的所述BARC層進行處理，以使得所述光阻和剩余的所述BARC 層的邊緣變得光滑；
采用等離子體處理后剩余的光阻和BARC層為掩膜刻蝕所述多晶 硅層至所述半導體襯底的上表面。
2.如權利要求1所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述含 HBr的等離子體中還包括Cl2。
3.如權利要求2所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述含 HBr的離子體中，HBr和Cl2的比例為9:1。
4.如權利要求1所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，采用氣 壓為3-7mT、射頻為1000-1500W、偏置電壓為0的含HBr的等離子體 對所述光阻和剩余的所述BARC層進行處理，以使得所述光阻和剩余 的所述BARC層的邊緣變得光滑。
5.如權利要求1所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述多 晶硅層上還形成有硬質掩膜層，所述BARC層覆蓋所述硬質掩膜層的 上表面。
6.如權利要求5所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，采用等 離子體處理后剩余的光阻對硬質掩膜層的選擇比為1-1.3.
7.如權利要求5所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，采用干 法刻蝕工藝刻蝕所述硬質掩膜層和多晶硅層至所述半導體襯底的上 表面。
8.如權利要求1所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述光 刻膠層的厚度為700-900埃。
9.如權利要求1所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，采用等 離子體處理后的剩余的光阻和BARC層為掩膜刻蝕所述多晶硅層至所 述半導體襯底的上表面后形成多晶硅柵；
所述多晶硅柵的關鍵尺寸差異為1-2nm。
10.如權利要求1所述的多晶硅刻蝕方法，其特征在于，所述方 法適用于等離子源功率和偏壓功率分離的等離子體發生器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
