[發(fā)明專利]一種去除晶圓表面顆粒的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410273539.4 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN105225924A | 公開（公告）日： | 2016-01-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳晉;徐友峰;宋振偉;李翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 去除 表面 顆粒 方法 | ||
1.一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于，包括如下步驟，
步驟一：提供一待清洗晶圓，所述晶圓的表面覆蓋有介質(zhì)薄膜，所述介質(zhì)薄膜中粘附有若干顆粒；
步驟二：通過濕法刻蝕去除一定厚度的所述介質(zhì)薄膜；
步驟三：通過刷片工藝對已去除一定厚度的所述介質(zhì)薄膜表面進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟二中的刻蝕時間為10s～40s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟二中的刻蝕溫度為20℃～30℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟一中，所述介質(zhì)薄膜的材質(zhì)為氮化硅，且表面顆粒含有硅的成分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟二中，通過濕法刻蝕所述介質(zhì)薄膜的刻蝕量為。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟二中，所述濕法刻蝕的溶液為氫氟酸以及溶質(zhì)含有HF的混合溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟二中，所述濕法刻蝕的溶液為HF與HNO3的混合溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述混合溶液中，所述HF與HNO3的體積比為(1:25)～(1:50)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述混合溶液中，所述HF與HNO3的體積比為1:35。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除晶圓表面顆粒的方法，其特征在于：所述步驟二中，所述濕法刻蝕的溶液為磷酸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
