[發明專利]功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201410272002.6
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN104242608B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: M.施呂特;S.H.施米斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G08C19/02
• 分類號: G08C19/02;H04Q9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 盧江,徐紅燕

1.功率半導體模塊，該功率半導體模塊具有：

功率電子電路（4）；

測量電路（50），所述測量電路被構造用于測量至少一個在所述功率電子電路（4）中出現的物理參數（M_x）并且使測量信號（S_mess）可供使用，所述測量信號代表所測量的參數（M_x）；

具有初級側（10）和次級側（20）的傳輸單元（30）；

發射電路（2），所述發射電路與所述次級側（20）耦合；以及

分析電路（1），所述分析電路與所述初級側（10）耦合并且通過所述傳輸單元（30）與所述發射電路（2）電分離；

其中

所述分析電路（1）被構造用于將交流電壓（V_PRIM）輸送給所述傳輸單元（30）的初級側（10），由此在所述初級側（10）上相應的初級電流（I_prim）流動，這在所述傳輸單元（30）的次級側（20）中引起次級電流（I_sec），所述次級電流被輸送給所述發射電路（2）；

所述發射電路（2）被構造用于從所述測量電路（50）接收所述測量信號（S_mess）并且按照所述測量信號（S_mess）調制所述次級電流（I_sec），這引起所述初級電流（I_prim）的相應的調制；以及

所述分析電路（1）此外被構造用于分析所述初級電流（I_prim）的調制并且產生依賴于該分析的輸出信號（S_I），

被輸送給所述初級側（10）的交流電壓（V_dc）引起，所述傳輸單元的導通階段與截止階段交替，其中所述導通階段是傳輸時期，在所述傳輸時期中所述初級電流（I_prim）流動并且能夠進行分析，以及

所述分析電路（1）此外被構造用于在一個傳輸時期期間在至少一個預先給定的采樣時間點（A2、A3）測量所述初級電流（I_prim），以便分析所述初級電流（I_prim）的調制，以及所述分析電路（1）此外被構造用于在至少兩個附加的采樣時間點（A1、A4）采樣所述初級電流（I_prim），以便確定所述初級電流（I_prim）的斜率（m）。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其中所述功率電子電路（4）包括至少一個與中間電路（V_DCLink）耦合的半橋（4₁、4₂、4₃）并且其中所述功率電子電路（4）被構造用于由所述中間電路的直流電壓（V_DCLink）生成交流電壓。

3.根據權利要求2所述的功率半導體模塊，其中所述至少一個半橋（4₁、4₂、4₃）中的每個包括至少兩個功率晶體管（41₁、42₁、41₂、42₂、41₃、42₃）。

4.根據權利要求3所述的功率半導體模塊，其中所述功率晶體管（41₁、42₁、41₂、42₂、41₃、42₃）是IGBT或MOSFET。

5.根據權利要求1到4之一所述的功率半導體模塊，其中所述功率電子電路（4）的至少一個所測量的參數（M_x）是電壓、電流或溫度。

6.根據權利要求1到4之一所述的功率半導體模塊，其中所述發射電路（2）被構造用于通過以下方式執行調制，即該調制將所述次級電流（I_sec）改變已知的值。

7.根據權利要求1到4之一所述的功率半導體模塊，其中所述測量信號（S_mess）在一個傳輸時期期間或在兩個或更多相繼的傳輸時期期間被傳輸。