[發明專利]三氯氫硅還原工藝控制方法有效
| 申請號： | 201410271960.1 | 申請日： | 2014-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN104003397A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 游書華;劉漢元;李斌;甘居富;庹如剛 | 申請（專利權）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/03 | 分類號： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鵬程 |
| 地址： | 614899 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三氯氫硅 還原 工藝 控制 方法 | ||
1.三氯氫硅還原工藝控制方法，其特征在于：該控制方法包括初步反應控制階段、穩定反應控制階段和終了反應控制階段，所述初步反應控制階段的時間為反應開始的前24小時以內，所述穩定反應控制階段的時間大于24小時且在64小時以內，所述終了反應控制階段時間大于64小時且在100小時以內，在初步反應控制階段內SiHCl3的流量控制在260m3/h以下，H2的流量控制在520m3/h以下，電流控制在30-1000A之間，在穩定反應控制階段SiHCl3的流量控制在175-260m3/h之間，H2的流量控制在385-520m3/h之間，電流控制在1000-2000A之間，在終了反應控制階段SiHCl3的流量控制在130-250m3/h之間，H2的流量控制在360-520m3/h之間，電流控制在100-800A之間。
2.根據權利要求1所述的三氯氫硅還原工藝控制方法，其特征在于：在初步反應控制階段中，在反應開始8小時以內，SiHCl3的流量控制在0-180m3/h，H2的流量控制在0-370m3/h，電流控制在30-450A，在大于8小時且在16小時內，SiHCl3的流量控制在180-240m3/h，H2的流量控制在390-500m3/h，電流控制在510-750A，在大于16小時且在24小時內，SiHCl3的流量控制在180-260m3/h，H2的流量控制在390-520m3/h，電流控制在700-1000A。
3.根據權利要求1或2所述的三氯氫硅還原工藝控制方法，其特征在于：在穩定反應控制階段中，在大于24小時且在32小時以內，SiHCl3的流量控制在175-260m3/h，H2的流量控制在385-520m3/h，電流控制在1000-1250A，在大于32小時且在40小時以內，SiHCl3的流量控制在170-260m3/h，H2的流量控制在380-520m3/h，電流控制在1200-1420A，在大于40小時且在48小時以內，SiHCl3的流量控制在165-260m3/h，H2的流量控制在375-520m3/h，電流控制在1200-1620A，在大于48小時且在56小時以內，SiHCl3的流量控制在160-250m3/h，H2的流量控制在370-520m3/h，電流控制在1200-1820A，在大于56小時且在64小時以內，SiHCl3的流量控制在155-250m3/h，H2的流量控制在365-520m3/h，電流控制在1200-2000A。
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