[發(fā)明專利]可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410268785.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104022224A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚占鰲;李聰;于露;屈江江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華北電力大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京麟保德和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11428 | 代理人: | 韓建功 |
| 地址: | 102206 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 溶液 加工 平面 異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池,其特征在于:所述平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池中襯底(1)、透明導(dǎo)電金屬氧化物陽極層(2)、陽極修飾層(3)、鈣鈦礦層(4)、電子傳輸層(5)、陰極修飾層(6)和陰極層(7)順次相連;所述陰極修飾層(6)的材質(zhì)為金屬的乙酰丙酮螯合物膜材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池,其特征在于:所述金屬的乙酰丙酮螯合物為二異丙氧基雙乙酰丙酮鈦、乙酰丙酮鋯、乙酰丙酮鉭或乙酰丙酮鎳。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池的制備方法,其特征在于,具體步驟如下:
a.透明導(dǎo)電金屬氧化物陽極層(2)的制備:在玻璃或聚酯薄膜的襯底(1)上濺射金屬氧化物制備透明導(dǎo)電金屬氧化物陽極層(2);
b.陽極修飾層(3)的制備:在經(jīng)紫外-臭氧表面處理設(shè)備處理后的透明導(dǎo)電金屬氧化物陽極層(2)上旋涂PEDOT:PSS,涂膜厚度為10nm~50nm,經(jīng)熱退火,得到陽極修飾層(3);
c.鈣鈦礦層(4)的制備:將PbI2與CH3NH3I按1:1的質(zhì)量比例溶于溶劑中,加熱,制備鈣鈦礦的前驅(qū)體溶液,將所得鈣鈦礦的前驅(qū)體溶液旋涂于陽極修飾層(3)上,經(jīng)熱退火,得到鈣鈦礦層(4);
d.電子傳輸層(5)的制備:將PC60BM溶液旋涂于鈣鈦礦層上面,得到電子傳輸層(5);
e.陰極修飾層(6)的制備:將金屬的乙酰丙酮螯合物溶液旋涂于電子傳輸層(5)上面,經(jīng)熱退火,得到陰極修飾層(6);
f.陰極層的制備:在陰極修飾層(6)上真空蒸鍍Al作為陰極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池的制備方法,其特征在于:所述步驟b中熱退火溫度為150℃,時(shí)間為15min。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池的制備方法,其特征在于:所述步驟c中的溶劑為DMF、γ-丁內(nèi)酯中的一種或兩種;加熱溫度為90℃~200℃,加熱時(shí)間為12h;鈣鈦礦的前驅(qū)體溶液的總濃度為30wt%;旋涂轉(zhuǎn)速為2000rpm~5000rpm;熱退火溫度為90℃~200℃,時(shí)間為2h;所得鈣鈦礦層的厚度為350nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池的制備方法,其特征在于:所述步驟d中的PC60BM溶液的溶劑為鄰二氯苯、間二氯苯、對(duì)二氯苯和氯苯中的一種或多種;PC60BM溶液中PC60BM的濃度為10mg/mL~30mg/mL;旋涂轉(zhuǎn)速為1000rpm~4000rpm;所得電子傳輸層(5)的厚度為10nm~120nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可溶液加工的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池的制備方法,其特征在于:所述步驟e中金屬的乙酰丙酮螯合物溶液的溶劑為醇類;金屬的乙酰丙酮螯合物溶液中金屬的乙酰丙酮螯合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~20%;旋涂轉(zhuǎn)速為1000rpm~5000rpm;熱退火溫度為100℃,時(shí)間為10min;所得陰極修飾層(6)的厚度為10nm~50nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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