[發明專利]互連結構的形成方法

有效

• 申請號: 201410265005.7
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN105304553B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 肖德元
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種互連結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成材料層；

在所述材料層中形成貫穿所述材料層的開口；

在所述材料層的表面以及所述開口的底部形成催化劑層；

去除所述材料層以及位于材料層表面的催化劑層，同時保留位于開口底部的催化劑層；

在剩余的催化劑層上形成碳納米管材料的導電插塞；

形成覆蓋所述導電插塞的層間介質層；

去除部分層間介質層，以露出碳納米管材料的導電插塞；

形成材料層的步驟包括：形成光刻膠材料的材料層；

去除所述材料層以及位于材料層表面的催化劑層的步驟包括：采用膠帶剝離所述材料層以及位于材料層表面的催化劑層。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成材料層的步驟包括：形成光刻膠、底部抗反射層或者無定形碳材料的材料層。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，

形成材料層的步驟包括：形成光刻膠材料的材料層；

去除所述材料層以及位于材料層表面的催化劑層的步驟包括：采用顯影液浸泡所述材料層，以剝離所述材料層以及位于材料層表面的催化劑層。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述材料層中形成貫穿所述材料層的開口的步驟之后，形成催化劑層的步驟之前，還包括：

在所述材料層的表面以及所述開口的底部形成阻擋層，并在所述阻擋層表面形成接觸層；

形成催化劑層的步驟包括：在所述接觸層表面形成所述催化劑層。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，

形成阻擋層的步驟包括：形成鉭或者氮化鉭材料的阻擋層。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成接觸層的步驟包括：形成氮化鈦材料的接觸層。

7.如權利要求4、5或6所述的形成方法，其特征在于，

形成阻擋層的步驟包括：采用物理氣相沉積的方式形成所述阻擋層；

形成接觸層的步驟包括：采用物理氣相沉積的方式形成所述接觸層。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成催化劑層的步驟包括：

形成鈷材料的催化劑層。

9.如權利要求1或8所述的形成方法，其特征在于，形成催化劑層的步驟包括：采用激光燒蝕的方式形成所述催化劑層。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成催化劑層的步驟之后，去除所述材料層以及位于材料層表面的催化劑層的步驟之前，還包括：

對所述襯底以及催化劑層進行退火處理。

11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在剩余的催化劑層上形成碳納米管材料的導電插塞的步驟包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積的方式形成所述碳納米管材料的導電插塞。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除部分層間介質層，以露出碳納米管材料的導電插塞的步驟包括：

通過平坦化工藝去除部分層間介質層，使剩余的層間介質層與所述碳納米管材料的導電插塞的表面齊平。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成層間介質層的步驟包括：

形成k值小于3的層間介質層。

14.如權利要求1或13所述的形成方法，其特征在于，形成層間介質層的步驟包括：采用等離子體增強化學氣相沉積的方式形成所述層間介質層。

15.如權利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述平坦化工藝為化學機械研磨。