[發明專利]存儲器中糾錯電路的選用方法有效
| 申請號: | 201410261432.8 | 申請日: | 2014-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN104036826B | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 景蔚亮;陳邦明 | 申請(專利權)人: | 上海新儲集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/42 | 分類號: | G11C29/42 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201500 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 糾錯 電路 選用 方法 | ||
本發明提供一種存儲器中糾錯電路的選用方法,通過采用不同性能的ECC電路來對存儲器中不同重要性的數據內容進行糾錯,從而實現了采用性能較高的ECC電路對重要性較高的數據內容進行糾錯,以及采用性能較低的ECC電路對重要性較低的數據內容進行糾錯的可能,進而避免了因采用同一種性能很強的ECC電路帶來的功耗浪費,同時也使任一時刻被真正利用的ECC電路的邏輯有效減少,以減小ECC電路自身產生軟錯誤的幾率。
技術領域
本發明涉及半導體器件領域,尤其涉及一種存儲器中糾錯電路的選用方法。
背景技術
由于環境中存在著很多高能粒子,而這些高能粒子會使電路產生一些軟錯誤,從而對電路的性能尤其是存儲器的性能具有一定程度的影像,對于像個人電腦這樣的電子產品,可以通過重啟或其他方法來解決這種軟錯誤,但是對于服務器級別來說,若出現問題就會帶來很大的損失。例如,在網絡處理器中包括多種存儲器,常見的有靜態隨機存儲器(Static Random Access Memory,簡稱:SRAM)、動態隨機存儲器(Dynamic Random AccessMemory,簡稱:DRAM)、三態內容尋址寄存器(Ternary Content Addressable Memory,簡稱:TCAM)和片上緩存(Cache),當這些存儲器中出現錯誤時,會對用戶造成很大的影響,比如網絡服務器在給用戶派發網絡協議地址(Internet Protocol Address)時,由于存儲器出現錯誤,可能造成派發的網絡協議地址不正確,從而對用戶造成影響。
因此,為了解決這個問題,人們提出了一些解決方法,其中一個就是通過錯誤糾正(Error Correcting Code)電路來解決。錯誤糾正(ECC)電路能夠容許錯誤,并可以將錯誤改正,使系統得以正確的操作,不會因為錯誤而中斷。通常通過在數據中添加幾位PARITY來實現。
目前的服務器中均存在ECC電路,幾乎每個存儲器芯片就有ECC電路與之對應。存儲器存儲的內容中包括重要內容和相對不是那么重要的內容。圖1中繪示了網絡高峰期時的數據內容組成,從圖中可以看出58.6%為娛樂內容,12.7%為網頁瀏覽內容,12%為文件共享內容,4%為服務平臺內容,3%為通信內容,9.7%為其他如網絡協議地址等比較重要的內容。在這些內容中,網絡協議地址最重要,如果出現錯誤則會帶來很大的影響,而通信、服務平臺、文件共享、網頁瀏覽、娛樂內容的重要性依次降低,甚至在娛樂內容中即便出現少量的錯誤也不會帶來太大的影響。因此,在網絡高峰期的數據內容中大部分是不重要的數據內容,只有很少的數據內容是重要的,也就是在大部分時間里性能很強的ECC電路都在保護不重要的數據內容,這既浪費了功耗,同時也增大了ECC邏輯電路的面積和由于ECC面積大而引起的自身軟錯誤的概率。
發明內容
鑒于上述問題,本發明提供一種存儲器中糾錯電路的選用方法。
本發明解決技術問題所采用的技術方案為:
一種存儲器中糾錯電路的選用方法,其中,包括:
步驟S1:提供一包含多個性能不同的糾錯電路的存儲器;
步驟S2:將所述存儲器中存儲內容根據重要性的高低依次分為若干個等級;
步驟S3:以性能越高的所述糾錯電路保護重要性越高的內容的方式對所述糾錯電路和所述等級進行配對。
所述的存儲器中糾錯電路的選用方法,其中,所述糾錯電路的數量與所述存儲器中存儲內容被分為的等級數量相同,且每個所述糾錯電路僅與一個等級進行配對。
所述的存儲器中糾錯電路的選用方法,其中,所述糾錯電路的數量與所述存儲器中存儲內容被分為的等級數量不同,且每個所述糾錯電路與多個等級進行匹配。
所述的存儲器中糾錯電路的選用方法,其中,步驟S3還包括:
步驟S31:對所述存儲器上電,且多個所述糾錯電路均不使能;
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