[發(fā)明專利]一種FinFET及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410260429.4
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN105244276B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾以志
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種FinFET的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有鰭片；

在所述鰭片的兩側(cè)和頂部形成包括依次層疊的犧牲柵極介電層和犧牲柵極材料層的偽柵極結(jié)構(gòu)；

沉積層間介電層，以覆蓋所述偽柵極結(jié)構(gòu)、所述鰭片和所述半導(dǎo)體襯底；

研磨層間介電層，直至露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部；

去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵極材料層；

聯(lián)合實(shí)施干法蝕刻、表面處理和濕法蝕刻去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵極介電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，聯(lián)合實(shí)施干法蝕刻、表面處理和濕法蝕刻的次序?yàn)椋焊煞ㄎg刻→表面處理→干法蝕刻→表面處理→濕法蝕刻，所述干法蝕刻為SiCoNi蝕刻，所述表面處理的清洗液為溶解有臭氧的去離子水，所述濕法蝕刻的腐蝕液為氫氟酸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiCoNi蝕刻的蝕刻氣體中包括含氟氣體，所述含氟氣體在所述蝕刻氣體中的百分比不超過10％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用另一干法蝕刻去除所述犧牲柵極材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述偽柵極結(jié)構(gòu)之后沉積所述層間介電層之前，還包括在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)露出的所述鰭片上形成鍺硅應(yīng)力層的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用選擇性外延生長工藝形成所述鍺硅應(yīng)力層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述犧牲柵極介電層之后，還包括下述步驟：形成高k介電層，以覆蓋所述鰭片；形成金屬柵極，覆蓋所述高k介電層和所述層間介電層；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出所述層間介電層的頂部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬柵極包括依次層疊的功函數(shù)設(shè)定金屬層、阻擋層和金屬柵極材料層。

9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述的方法制造的FinFET器件。

10.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求9所述的FinFET器件。