[發(fā)明專利]一種取向熱敏薄膜電阻的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410260345.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104003724A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐金寶;熊信謙;王紅光;王磊;邊亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | C04B35/50 | 分類號(hào): | C04B35/50 |
| 代理公司: | 烏魯木齊中科新興專利事務(wù)所 65106 | 代理人: | 張莉 |
| 地址: | 830011 新疆維吾爾*** | 國(guó)省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 取向 熱敏 薄膜 電阻 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有快響應(yīng)的取向熱敏薄膜的制備方法,屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
為滿足電器設(shè)備在高溫條件下的控制、測(cè)量,對(duì)高溫傳感器提出了更高的要求。傳統(tǒng)溫度傳感器一般是以AB2O4尖晶石結(jié)構(gòu)為主的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,而由于其老化性能差極大的限制了器件在高溫環(huán)境中的使用。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)ABO3的熱敏電阻因其在高溫下性能穩(wěn)定,成為高溫?zé)崦綦娮柩芯康男滦筒牧象w系。錳酸鑭基(LaMnO3)作為一種典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料,具有良好的NTC特性,而Al摻雜是一種有效提高材料常數(shù)(B值)的手段,所以Al摻雜LaMnO3熱敏電阻,作為生產(chǎn)高溫?zé)崦綦娮杈哂兄匾囊饬x。
薄膜能滿足電子元器件小型化、集成化的發(fā)展要求,因此在熱敏電阻的研究領(lǐng)域,薄膜熱敏電阻受到了愈發(fā)的重視。而取向薄膜由于內(nèi)部晶粒的取向排列,存在著極軸,并且會(huì)對(duì)材料的許多電學(xué)性能產(chǎn)生很大的影響。因此在熱敏薄膜材料的制備中控制取向,對(duì)于提高其性能具有重要的意義。而本研究中通過制備取向熱敏薄膜,為更快響應(yīng)的熱敏器件發(fā)展提供了支持。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于,提供一種取向熱敏薄膜電阻的制備方法,該方法將硝酸鑭、乙酸錳和硝酸鋁為原料,分別溶解在冰醋酸和乙二醇甲醚中,得到純清溶液,通過旋涂法沉積在(100)取向的鎳酸鑭襯底上,預(yù)處理揮發(fā)有機(jī)物,多次重復(fù)旋涂得到所需膜厚,經(jīng)過最終熱處理,得到取向熱敏薄膜。由于取向薄膜相對(duì)一般薄膜具有更高的晶粒有序排列,不但能夠滿足電子設(shè)備結(jié)構(gòu)的的微型化、集成化及高溫環(huán)境使用的要求,而且能在實(shí)際應(yīng)用中滿足器件的更快響應(yīng)的需求。
本發(fā)明所述的一種取向熱敏薄膜電阻的制備方法,按下列步驟進(jìn)行:
a、將硝酸鑭、乙酸錳和硝酸鋁作原料,分別溶解在冰醋酸和乙二醇甲醚中,其中冰醋酸與乙二醇甲醚的體積比為1:1,然后在溫度60-90℃下,攪拌,待溶解完畢,停止加熱,冷卻至室溫;
b、再將步驟a中三種溶液混合,繼續(xù)攪拌6h,調(diào)制成濃度為0.05-0.2mol/L溶液,過濾,靜置8h,形成錳鋁酸鑭溶膠;
c、利用旋涂法,室溫下將步驟b錳鋁酸鑭溶膠滴在(100)取向的鎳酸鑭基底上,在勻膠機(jī)上勻膠20s,轉(zhuǎn)速為3500r/min,然后在管式爐內(nèi)保持3min,處理溫度為300℃,揮發(fā)薄膜中的有機(jī)物,重復(fù)勻膠制膜,得到150-1500nm厚度的薄膜;
d、將步驟c獲得的薄膜在溫度750℃下靜置處理1h,得到均勻的取向熱敏薄膜,然后在離子濺射儀上濺射金電極,溫度200℃下靜置10min,再焊接Pt引線,即可得到薄膜熱敏電阻。
步驟a中原料硝酸鑭、乙酸錳和硝酸鋁的按摩爾比為L(zhǎng)a:Mn:Al=1:0.4-0.7:0.3-0.6。
本發(fā)明所述一種取向熱敏薄膜電阻的制備方法,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所得的熱敏電阻能夠具有更快響應(yīng)時(shí)間,能夠滿足電子工業(yè)生產(chǎn)中,在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上更便于微型化、集成化,熱敏電阻良好的高溫性能,對(duì)需要在高溫環(huán)境下作業(yè)的電器設(shè)備的控制、測(cè)溫有著重要的用途。
本發(fā)明中提到的(100),為專業(yè)術(shù)語言,是指材料物相的XRD衍射峰。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施1所得取向熱敏薄膜電阻的XRD衍射圖譜,具有(100)完全取向結(jié)構(gòu),其中為襯底衍射峰,△為物相衍射峰;
圖2為本發(fā)明實(shí)施1所得取向熱敏薄膜電阻的電阻與1000/T關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
a、按摩爾比為L(zhǎng)a:Mn:Al=1:0.6:0.4將硝酸鑭、乙酸錳和硝酸鋁分別溶解在冰醋酸和乙二醇甲醚中,其中冰醋酸與乙二醇甲醚的體積比為1:1,然后加熱至溫度60℃,攪拌,待溶解完畢,停止加熱,冷卻至室溫;
b、再將步驟a中三種溶液混合,繼續(xù)攪拌6h,調(diào)制成濃度為0.1mol/L溶液,過濾,靜置8h,形成錳鋁酸鑭溶膠;
c、利用旋涂法,室溫下將步驟b錳鋁酸鑭溶膠滴在(100)取向的鎳酸鑭基底上,在勻膠機(jī)上勻膠20s,轉(zhuǎn)速為3500r/min,然后在管式爐內(nèi)保持3min,處理溫度為300℃,揮發(fā)薄膜中的有機(jī)物,重復(fù)勻膠制膜,得到150-1500nm厚度的薄膜;
d、將步驟c獲得的薄膜在溫度750℃下靜置處理1h,得到均勻的取向熱敏薄膜,然后在離子濺射儀上濺射金電極,溫度200℃下靜置10min,再焊接Pt引線,即可得到薄膜熱敏電阻。
實(shí)施例2
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