[發(fā)明專利]基于ITO加熱片的金屬膜電極的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410259664.X | 申請(qǐng)日: | 2014-06-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104195509A | 公開(公告)日: | 2014-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡俊濤;余承東;程群;宗艷鳳;梅文娟;鄧亞飛;呂國強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/46 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 230009 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 ito 加熱 金屬膜 電極 制作方法 | ||
1.基于ITO加熱片的金屬膜電極的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)首先將ITO基板依次用丙酮溶液、無水乙醇和去離子水各超聲處理8-12分鐘;其中丙酮溶液的濃度為99%-99.5%;
(2)然后用氧等離子清洗機(jī)清洗5-10分鐘,使得ITO基板表面清洗干凈;
(3)再把ITO基板移至手套箱中,在手套箱中將ITO基板和掩膜板固定;手套箱參數(shù)為:氧含量<0.1ppm,水含量<0.01ppm);
(4)在手套箱中將ITO基板的一面和掩膜板完全貼合,掩膜板的作用是制備電極部分,在蒸鍍時(shí),金屬只蒸鍍到ITO基板的電極部分;
(5)把ITO基板和掩膜板移至真空蒸鍍系統(tǒng)的真空腔室內(nèi)的基片架上,真空蒸鍍系統(tǒng)包括有真空腔室,真空腔室的一側(cè)開孔并密封連接冷凝泵,冷凝泵通過冷凝管連接機(jī)械泵,真空腔室內(nèi)下端設(shè)有蒸發(fā)源、上端一側(cè)設(shè)有膜厚儀,真空腔室中還設(shè)有旋轉(zhuǎn)桿一,旋轉(zhuǎn)桿一的頂部固定有擋板,擋板的一側(cè)固定在旋轉(zhuǎn)桿一上,擋板的上方設(shè)有基片架;基片架固定在其上方的旋轉(zhuǎn)桿二上,蒸發(fā)源與電源連接;
(6)將真空腔室中的氮?dú)鈿怏w抽出,當(dāng)腔室內(nèi)的真空度達(dá)到<10-7Torr時(shí)開始蒸鍍,用功率為600w的電子束濺射金屬,金屬受熱開始蒸發(fā),同時(shí)用膜厚儀的晶振片檢測(cè)濺射速率,當(dāng)速率能穩(wěn)定達(dá)到20?/S時(shí),通過旋轉(zhuǎn)桿一的轉(zhuǎn)動(dòng)打開擋板;此時(shí),金屬分子開始蒸鍍到ITO基板上;工作時(shí)ITO基板是通過基片架連接的旋轉(zhuǎn)桿二不停的旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速為20轉(zhuǎn)/分鐘。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于合肥工業(yè)大學(xué);,未經(jīng)合肥工業(yè)大學(xué);許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410259664.X/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





