[發明專利]基于液相外延技術制備高氮組分的銦砷氮薄膜的方法有效
| 申請號： | 201410258936.4 | 申請日： | 2014-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN104032375A | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 呂英飛;胡淑紅;王洋;孫常鴻;邱鋒;俞國林;戴寧 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B19/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 外延 技術 制備 組分 銦砷氮 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于液相外延技術制備高氮組分的銦砷氮薄膜的方法，其特征在于：它包括以下步驟：
首先，第一次高溫熔源將純度為7N的In和InAs單晶片在650℃熔融3h，得到混合均勻的初始熔源材料；接著第二次高溫熔源，將純度為99.8％的InN粉末總質量的1/3均勻地放置在初始熔源底部，剩余的InN粉末均勻地放置在初始熔源頂部，熔源材料在630℃下熔融1小時，得到生長熔源；然后，以1℃/min的降溫速率使溫度降至生長溫度600℃，恒溫15分鐘，在溫度開始以0.3℃/min開始降溫時推動滑舟使熔源與InAs襯底接觸，進行銦砷氮InAs1-xNx外延層材料的生長。
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