[發明專利]一種單晶渦輪導向葉片的制備工藝有效
| 申請號: | 201410258485.4 | 申請日: | 2014-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN105268916B | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 姜衛國;肖久寒;樓瑯洪;張功;王莉;鄭偉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號: | B22C9/04 | 分類號: | B22C9/04;B22C9/28;C30B11/00;C30B29/52 |
| 代理公司: | 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司21001 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 110015 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 渦輪 導向 葉片 制備 工藝 | ||
1.一種單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于,采用縱向單晶生長技術制備單晶渦輪導向葉片,制備步驟為:首先制備蠟模,將蠟模與螺旋選晶器組合起來,經涂料制殼、脫蠟、定向凝固、脫殼清理、脫芯、切除多余部分,最后得到完整的單晶渦輪導向葉片;
所述蠟模由渦輪葉片蠟模、引晶薄片蠟模(3)及單晶選晶器過渡段蠟模(2)組成,其中渦輪葉片蠟模包括葉身(1)、上緣板(5)、下緣板(6)和補縮段(4),補縮段(4)位于上緣板(5)和下緣板(6)的上端面,單晶選晶器過渡段蠟模(2)與上緣板(5)、下緣板(6)的下端面相接,在葉身(1)、上緣板(5)、下緣板(6)和單晶選晶器過渡段蠟模(2)之間形成的空間中設有引晶薄片蠟模(3)。
2.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:蠟模采用注射成形方式成形,注射溫度為63℃-68℃,壓力為0.3-0.5MPa,注射時間為10-30秒,保壓時間為10-30秒。
3.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:涂料采用320目粉料與硅溶膠溶液,粉液比為3.0-3.5:1;
撒砂第一層為80目砂,第二層為60目砂,第三層為32目砂,第四-第七層為24目砂,最后封漿層采用涂料;粉料采用剛玉粉、鋯英粉、石英粉或上店粉中的一種,撒砂材料為剛玉砂、鋯英砂、石英砂、上店砂中的一種。
4.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:蠟模采用蒸汽法脫除,蒸汽溫度為150℃-170℃,壓力3-7個大氣壓,時間為10-60分鐘。
5.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:模殼脫蠟后將模殼放入焙燒爐中進行焙燒,焙燒溫度為850-980℃,保溫時間為3-6小時,爐冷后對模殼進行清洗。
6.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:鑄造合金為單晶高溫合金。
7.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:定向凝固抽拉速度為3mm/min-15mm/min。
8.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:鑄造完畢后的陶瓷型芯采用NaOH或KOH的水溶液脫除,堿濃度為質量百分比25-40%,溫度為120℃-280℃,壓力為0.3-0.5MPa,脫除時間2-50小時;葉片上殘余堿液采用鹽酸水溶液進行中和,鹽酸溶液濃度為1-10%。
9.按照權利要求1所述單晶渦輪導向葉片的制備工藝,其特征在于:所得單晶鑄件中的單晶選晶器過渡段、補縮段及引晶薄片采用線切割方式切除后得到成品單晶鑄件。
10.一種權利要求1所述單晶渦輪導向葉片制備工藝的專用蠟模,其特征在于:所述蠟模由渦輪葉片蠟模、引晶薄片蠟模(3)及單晶選晶器過渡段蠟模(2)組成,其中渦輪葉片蠟模包括葉身(1)、上緣板(5)、下緣板(6)和補縮段(4),補縮段(4)位于上緣板(5)和下緣板(6)的上端面,單晶選晶器過渡段蠟模(2)與上緣板(5)、下緣板(6)的下端面相接,在葉身(1)、上緣板(5)、下緣板(6)和單晶選晶器過渡段蠟模(2)之間形成的空間中設有引晶薄片蠟模(3);
其中引晶薄片蠟模(3)的厚度為0.3-1.5毫米,與上緣板(5)、下緣板(6)、葉身(1)及單晶選晶器過渡段蠟模(2)完全相接;補縮段(4)的高度為10-30毫米,長、寬分別為5-20毫米。
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