[發明專利]一種HEMT器件及制備方法

有效

• 申請號: 201410257470.6
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104134689B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 魯微
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

1.一種HEMT器件，其特征在于：包括層疊設置的襯底、成核層、緩沖層、溝道層、勢壘層及形成于所述勢壘層上的源極、柵極、漏極，所述柵極設置于所述源極與所述漏極之間，所述襯底設有朝向成核層設置的器件面及背離所述器件面的襯底背面，自所述襯底背面開設有源極背孔及溝道背孔，所述源極背孔將所述襯底、成核層、緩沖層、溝道層、勢壘層貫通并延伸至所述源極，所述溝道背孔貫通所述襯底的至少一部分，所述HEMT器件還設有導熱導電層，所述導熱導電層填充于所述源極背孔及所述溝道背孔中并覆蓋所述襯底背面，所述導熱導電層設置為由多層金屬層層疊設置而成的層級結構，所述多層金屬層之各層設置為不同的金屬材料。

2.如權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述溝道背孔將所述襯底貫通。

3.如權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述溝道背孔將所述襯底貫通，且所述溝道背孔延伸至所述成核層內部。

4.如權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述溝道背孔將所述襯底及所述成核層貫通。

5.如權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述溝道背孔將所述襯底及成核層貫通，且所述溝道背孔延伸至所述緩沖層內部。

6.如權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于：所述溝道背孔將所述襯底、所述成核層及所述緩沖層貫通。

7.如權利要求2至6中任一項所述的HEMT器件，其特征在于：所述HEMT器件還設有高導熱層，所述高導熱層鋪設于所述溝道背孔中，所述高導熱層設置于所述襯底背面與所述導熱導電層之間。

8.如權利要求7所述的HEMT器件，其特征在于：所述高導熱層采用類金剛石碳材料制成。

9.一種HEMT器件制備方法，其特征在于：包括

層疊設置襯底、成核層、緩沖層、溝道層、勢壘層，于所述勢壘層上設置源極、柵極、漏極，使得所述柵極設置于所述源極與所述漏極之間，所述襯底設有朝向成核層設置的器件面及背離所述器件面的襯底背面；

于所述襯底背面形成源極背孔及溝道背孔，所述溝道背孔貫通所述襯底的至少一部分；

使所述源極背孔將所述襯底、成核層、緩沖層、溝道層、勢壘層貫通并延伸至所述源極；

于所述襯底背面設置導熱導電層，所述導熱導電層填充于所述源極背孔及所述溝道背孔中并覆蓋所述襯底背面，所述導熱導電層設置為由多層金屬層疊設置而成的層級結構，所述多層金屬層之各層設置為不同的金屬材料。

10.如權利要求9所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：所述于所述襯底背面形成源極背孔及溝道背孔包括：通過刻蝕以形成所述源極背孔及溝道背孔。

11.如權利要求9所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：所述于所述襯底背面形成源極背孔及溝道背孔后，所述HEMT器件制備方法還包括

刻蝕所述溝道背孔，將所述溝道背孔延伸至HEMT器件內部。

12.如權利要求11所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：所述刻蝕所述溝道背孔包括：將所述溝道背孔延伸至所述成核層內部。

13.如權利要求11所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：所述刻蝕所述溝道背孔包括：刻蝕所述溝道背孔以將所述成核層貫通。

14.如權利要求11所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：所述刻蝕所述溝道背孔包括：刻蝕所述溝道背孔，將所述溝道背孔延伸至所述緩沖層內部。

15.如權利要求11所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：所述刻蝕所述溝道背孔包括：刻蝕所述溝道背孔以將所述成核層與所述緩沖層貫通。

16.如權利要求9所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：在于襯底背面設置導熱導電層前，所述HEMT器件制備方法還包括，

于所述溝道背孔內設置高導熱層。

17.如權利要求9所述的HEMT器件制備方法，其特征在于：在于襯底背面設置導熱導電層后，所述HEMT器件制備方法還包括，

研磨所述襯底的背面并拋光。