[發明專利]新型陣列LED高壓芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201410255896.8
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104009135A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 施榮華;孫智江
• 申請（專利權）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型陣列LED高壓芯片，包括襯底、N型GaN限制層、量子阱和P型GaN限制層，其特征在于：所述的襯底上的N型GaN限制層、量子阱和P型GaN限制層被隔離為陣列排布的多個方形單元，每個方形單元包括至少一個圓形發光元件以及圍繞圓形發光元件的多個三角形發光元件，所述的圓形發光元件與三角形發光元件以串聯和/或并聯的形式連接。

2.根據權利要求1所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的三角形發光元件包括至少一條圓弧化處理的邊和/或至少一個圓弧化處理的角。

3.根據權利要求1所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的方形單元由位于中心位置的圓形發光元件以及分位于四個角落位置的三角形發光元件構成。

4.根據權利要求1所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的圓形發光元件和三角形發光元件在各自對應的N型GaN限制層上形成N電極，或者在圓形發光元件和三角形發光元件之間隔離帶上形成N電極，并通過透明電極將形成的N電極與N型GaN限制層相連。

5.根據權利要求1所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的圓形發光元件和三角形發光元件在各自對應的P型GaN限制層上形成P電極，或者在隔離帶上形成P電極，并通過透明電極將形成的P電極與P型GaN限制層相連。

6.根據權利要求1所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的三角形發光元件彼此串聯后與所述的圓形發光元件并聯連接。

7.根據權利要求6所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的圓形發光元件和三角形發光元件之間設置有呈環形的共用的N電極。

8.根據權利要求1所述的新型陣列LED高壓芯片，其特征在于：所述的襯底包括藍寶石襯底、單晶硅襯底或碳化硅襯底。

9.一種新型陣列LED高壓芯片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）提供一襯底，所述襯底上依次形成有N型GaN限制層、量子阱和P型GaN限制層；

（b）通過光刻結合蝕刻工藝將襯底上的N型GaN限制層、量子阱和P型GaN限制層隔離出陣列排布的多個方形單元，每個方形單元包括一圓形發光元件以及圍繞該圓形發光元件的多個三角形發光元件，所述的圓形發光元件與三角形發光元件以串聯和/或并聯的形式連接；

（c）將圓形單元和三角形單元由金屬線連結形成串聯和/或并聯。

10.?根據權利要求9所述的新型陣列LED高壓芯片的制備方法，其特征在于：所述的步驟（b）中的隔離方式采用深溝槽刻蝕到襯底的方式或者用離子注入的方式。