[發(fā)明專利]一種制造近化學(xué)計(jì)量比的單晶薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410252850.0
• 申請(qǐng)日: 2014-06-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104862784B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B31/22
• 分類號(hào): C30B31/22
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng)

1.一種制造近化學(xué)計(jì)量比的單晶薄膜的方法，所述方法包括下述步驟：

通過(guò)離子注入法將離子注入到原始基板的表面，從而在原始基板中形成薄膜層、分離層和余質(zhì)層，其中，薄膜層位于原始基板的表面，分離層位于薄膜層和余質(zhì)層之間，注入的離子分布在分離層內(nèi)；

使目標(biāo)基板與原始基板的薄膜層接觸，進(jìn)而利用晶片鍵合法將原始基板與目標(biāo)基板鍵合在一起，以形成鍵合體；

對(duì)鍵合體進(jìn)行加熱，使得薄膜層和余質(zhì)層分離；

在300℃～600℃的條件下對(duì)分離后的薄膜層進(jìn)行退火處理；

在裝有擴(kuò)散劑的預(yù)定容器內(nèi)以200℃～700℃的溫度對(duì)薄膜層加熱，其中，擴(kuò)散劑包括氧化鋰和硝酸鋰中的至少一種，

其中，在對(duì)薄膜層加熱的步驟中，向預(yù)定容器通入氧氣，使薄膜層在200℃～700℃的溫度下被加熱以使氧化鋰擴(kuò)散到薄膜層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擴(kuò)散劑是氧化鋰或者是氧化鋰與鈮酸鋰的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)定容器包括：用于放置擴(kuò)散劑的第一容器，在第一容器的一端設(shè)置有進(jìn)氣口；用于放置薄膜的第二容器，在第二容器的一端設(shè)置有出氣口；用于將第一容器連接到第二容器的管路；對(duì)第一容器進(jìn)行加熱的第一加熱器；以及對(duì)第二容器進(jìn)行加熱的第二加熱器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，擴(kuò)散劑是硝酸鋰或者是硝酸鈉、硝酸鉀中的至少一種與硝酸鋰的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在對(duì)薄膜層加熱的步驟中，將薄膜層浸漬在處于熔融狀態(tài)的擴(kuò)散劑中，使薄膜層在200℃～700℃的溫度下被加熱以使鋰離子擴(kuò)散到薄膜層中。

6.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的方法，其中，所述方法還包括在對(duì)薄膜層加熱的步驟之前，對(duì)薄膜層進(jìn)行表面拋光處理，和/或在對(duì)薄膜層加熱的步驟之后，對(duì)薄膜層進(jìn)行表面拋光處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在目標(biāo)基板上涂覆有二氧化硅層或者涂覆有電極層和二氧化硅層，并且使二氧化硅層與原始基板的薄膜層接觸，以形成鍵合體；或者在原始基板的薄膜層的表面上涂覆有電極層和二氧化硅層，并且使二氧化硅層與目標(biāo)基板接觸，以形成鍵合體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對(duì)鍵合體進(jìn)行加熱的步驟中，在真空條件下或在大于1個(gè)大氣壓且小于300個(gè)大氣壓的氣氛下對(duì)鍵合體進(jìn)行加熱使得薄膜層和余質(zhì)層分離。