[發明專利]改善外延層電阻率均勻性的方法有效
| 申請號： | 201410250516.1 | 申請日： | 2014-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN103996608A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 史超;王海紅;曹榮 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20;H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 外延 電阻率 均勻 方法 | ||
1.一種改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，包括：
提供進行外延工藝的腔體、測試樣品及襯底；
對所述測試樣品進行外延工藝，在所述測試樣品上生長一外延層；
對測試樣品的所述外延層進行電阻率的測試；
對經過外延工藝的腔體的內部進行刻蝕；
根據所述外延層的電阻率的分布情況，選擇摻雜劑對所述腔體的內部進行預覆蓋；
將所述襯底放入預覆蓋處理過的腔體中，進行外延工藝。
2.如權利要求1所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述外延層為P型外延層，所述外延層的電阻率的分布情況為中間低邊緣高時，所述摻雜劑選用P型元素。
3.如權利要求1所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述外延層為P型外延層，所述外延層的電阻率的分布情況為中間高邊緣低時，所述摻雜劑選用N型元素。
4.如權利要求1所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述外延層為N型外延層，所述外延層的電阻率的分布情況為中間低邊緣高時，所述摻雜劑選用N型元素。
5.如權利要求1所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述外延層為N型外延層，所述外延層的電阻率的分布情況為中間高邊緣低時，所述摻雜劑選用P型元素。
6.如權利要求2或5所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述P型元素為硼。
7.如權利要求3或4所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述N型元素為磷、砷或銻中的一種或幾種。
8.如權利要求1所述的改善外延層電阻率均勻性的方法，其特征在于，所述腔體的內部包括一用于承載所述襯底的基座，在根據所述外延層的電阻率的分布情況，選擇摻雜劑對所述腔體的內部進行預覆蓋的步驟中，對所述腔體的內部的腔體的側壁和所述基座均進行預覆蓋。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
