[發明專利]薄嵌入式封裝、其制造方法、包括其的電子系統及存儲卡

有效

• 申請號: 201410247657.8
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN104659001B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 金承知
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498;H01L25/16;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

一種嵌入式封裝包括具有腔體的核心層、設置在腔體中的第一半導體芯片、設置在第一半導體芯片的頂表面上的凸塊、設置在第一半導體芯片和核心層上的第二半導體芯片、設置在第二半導體芯片的頂表面上的焊盤、以及設置在核心層以及第一和第二半導體芯片上的第一絕緣層。第一絕緣層具有暴露出凸塊的第一開口以及暴露出焊盤的第二開口，并且第一開口和第二開口具有相似的深度。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年11月25日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2013-0144116號的優先權，其全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體封裝，并且更具體地，涉及薄嵌入式封裝、制造其的方法、包括其的電子系統、以及包括其的存儲卡。

背景技術

典型的嵌入式封裝包括無源器件，例如嵌入在襯底中的器件。近來，嵌入式封裝可以通過將有源器件(例如，半導體芯片、數字集成電路、模擬集成電路等等)和無源器件一起嵌入在襯底中來制造。

發明內容

各種實施例針對嵌入式封裝、制造嵌入式封裝的方法、包括嵌入式封裝的電子系統、以及包括嵌入式封裝的存儲卡。

根據一些實施例，一種嵌入式封裝包括：具有腔體的核心層、設置在腔體中的第一半導體芯片、設置在第一半導體芯片的頂表面上的凸塊、設置在第一半導體芯片和核心層上的第二半導體芯片、設置在第二半導體芯片的頂表面上的焊盤、以及設置在核心層以及第一和第二半導體芯片上的第一絕緣層，第一絕緣層具有暴露出凸塊的第一開口以及暴露出焊盤的第二開口。第一開口和第二開口具有相似的深度。

根據進一步的實施例，一種嵌入式封裝包括：具有腔體的核心層、設置在腔體中的第一半導體芯片、設置在第一半導體芯片的頂表面上的第一凸塊、設置在第一半導體芯片和核心層上的第二半導體芯片、設置在第二半導體芯片的頂表面上的凸塊、以及設置在核心層以及第一和第二半導體芯片上的第一絕緣層，第一絕緣層具有暴露出第一凸塊的第一開口以及暴露出第二凸塊的第二開口。第一開口和第二開口具有相似的深度。

根據進一步的實施例，一種制造嵌入式封裝的方法包括提供具有腔體的核心層。在腔體中設置第一半導體芯片。第一半導體芯片在頂表面上具有凸塊，所述凸塊具有第一高度。將第二半導體芯片附接至第一半導體芯片和核心層的頂表面。第二半導體芯片在頂表面上具有焊盤。第二半導體芯片的厚度基本上等于第一高度。在核心層、第一半導體芯片和第二半導體芯片上形成第一絕緣層。選擇性去除第一絕緣層的一部分以形成暴露出凸塊的第一開口和暴露出焊盤的第二開口。第一開口和第二開口被形成為具有相似的深度。

根據進一步的實施例，一種制造嵌入式封裝的方法包括提供具有腔體的核心層。在腔體中設置第一半導體芯片。第一半導體芯片在頂表面上具有為第一高度的第一凸塊。將第二半導體芯片附接至第一半導體芯片和核心層的頂表面。第二半導體芯片在頂表面上具有第二凸塊。第二半導體芯片的厚度基本上等于第一高度。將第一絕緣層形成在核心層、第一半導體芯片和第二半導體芯片上。選擇性去除第一絕緣層的一部分以形成暴露出第一凸塊的第一開口和暴露出第二凸塊的第二開口。第一開口和第二開口被形成為具有相似的深度。

根據進一步的實施例，一種電子系統包括存儲器部件以及通過總線而與存儲器部件耦接的控制器。存儲器部件或控制器包括具有腔體的核心層、設置在腔體中的第一半導體芯片、設置在第一半導體芯片的頂表面上的凸塊、設置在第一半導體芯片和核心層上的第二半導體芯片、設置在第二半導體芯片的頂表面上的焊盤、以及設置在核心層以及第一和第二半導體芯片上的第一絕緣層，第一絕緣層具有暴露出凸塊的第一開口和暴露出焊盤的第二開口。第一開口和第二開口具有相似的深度。