[發明專利]發光裝置

在審

• 申請號: 201410247326.4
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN104241510A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 三次智紀;小關健司
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/60;H01L25/075
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉曉迪

技術領域

本發明涉及具備多個發光元件的發光裝置。

背景技術

近年來，半導體發光元件不僅用作代替熒光燈的照明用光源，而且作為車輛的前照燈等聚光燈、投光照明等具有良好的指向性及高亮度的光源而使用。

用于這種用途的發光裝置例如在日本特開2012－99545號公報中被提案。

該發光裝置利用反射性部件將多個發光元件的側面覆蓋，使其相互接近并排列成一列。

但是，在發光裝置的開發中，特別是在具備多個發光元件的發光裝置中，尋求發光狀態的元件和非發光狀態的元件的亮度差明顯，可見性(見切り性)好的發光裝置。

發明內容

本發明是鑒于上述課題而設立的，其目的在于提供發光部和非發光部的亮度差明顯，可見性好，具有良好的亮度分布的發光裝置。

本發明的發光裝置具備：整齊排列的多個發光元件；光反射性部件，其覆蓋所述發光元件的側面；遮光性部件，其配置于所述發光元件間的所述光反射性部件間。

本發明能夠提供發光部和非發光部的亮度差明顯，可見性好，具有良好的亮度分布的發光裝置。

附圖說明

圖1A是表示本發明實施方式1的發光裝置的概略平面圖；

圖1B是圖1A的A－A’線剖面圖；

圖2A是表示本發明實施方式1的發光裝置的制造工序的概略平面圖；

圖2B是圖2A的A－A’線剖面圖；

圖3是表示本發明實施方式1的發光裝置的制造工序的概略平面圖；

圖4A是表示本發明實施方式1的發光裝置的制造工序的概略平面圖；

圖4B是圖4A的A－A’線剖面圖；

圖5是用于說明本發明實施方式1的發光裝置的評價方法的概略平面圖；

圖6是表示本發明實施方式2的發光裝置的概略剖面圖；

圖7是表示本發明實施方式3的發光裝置的概略剖面圖；

圖8是表示本發明實施方式4的發光裝置的概略剖面圖；

圖9是表示本發明實施方式5的發光裝置的概略剖面圖。

具體實施方式

本申請中，就各附圖所示的部件的大小及位置關系等而言，為了使說明明確，往往進行夸大。在以下的說明中，相同的名稱、標記表示相同或同質的部件，適當省略詳細說明。在一實施例及一實施方式中說明的內容可用于其它實施例及其它實施方式等。

在本說明書中，“上”、“下”這類術語也用作指發光裝置的發光取出側和其相反側。例如，“上面”是指處于使發光裝置的發光取出側的面，“下面”是指其相反側的面。

如圖1A及圖1B所示，本實施方式的發光裝置10具備：多個發光元件11、覆蓋發光元件11的側面的光反射性部件12、配置于發光元件間的光反射性部件12間的遮光性部件13。

(發光元件11)

發光元件1通常使用發光二極管。

發光元件了根據目的適當選擇其組成、發光色或波長、大小、個數等。例如，可列舉，作為藍色、綠色的發光元件使用ZnSe、氮化物系半導體(In_XAl_YGa_1-X-YN，0≤X、0≤Y、X+Y≤1)、GaP等半導體層的元件，作為紅色的發光元件使用GaAlAs、AlInGaP等半導體層的元件。

發光元件通常在成長用基板(例如，藍寶石基板)上層疊半導體層而形成。基板在與半導體層的接合面上也可以具有凹凸。由此，能夠有意識地改變從半導體層射出的光照到基板時的臨界角，能夠容易地向基板的外部取出光。

發光元件也可以在半導體層層疊后去除成長用基板。除去例如可通過研磨、LLO(Laser?Lift?off)等進行。另外，在去除成長用基板的情況下，也可以在半導體層上具備安裝用的支承基板。

優選發光元件在同一面側具有正負一對電極。由此，能夠在安裝基板上倒裝片安裝發光元件。該情況下，與形成有一對電極的面相對的面成為光取出面。倒裝片安裝使用焊錫等具有導電性的膏狀接合部件、薄膜狀的接合部件或塊狀的接合部件，將發光元件和基材上的配線圖案電連接。

或者，在面朝上安裝的情況下，也可以將形成有一對電極的面作為光取出面。

優選發光元件在同一面側具有正負一對電極，也可以在不同側具有正負一對電極。在正負一對電極分別設于相反的面的相對電極構造的發光元件的情況下，下面電極通過導電性部件固定在基材上，上面電極通過導線等與基材連接。