[發明專利]有機發光器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201410242794.2 | 申請日: | 2009-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103996793A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 李政炯;咸允慧;盧正權;金正凡 | 申請(專利權)人: | LG化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H05B33/14;C09K11/06 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 器件 及其 制備 方法 | ||
本申請是申請人為LG化學株式會社,申請日為2009年1月23日,申請號為200980104664.X,發明名稱為“有機發光器件及其制備方法”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種有機發光器件及其制備方法。具體地說,本發明涉及一種有機發光器件及其制備方法,該器件包括在制備有機發光器件的過程中在有機材料層上形成電極時用于防止有機材料層的損傷的層。
本發明要求于2008年1月23日向韓國知識產權局提交的第10-2008-0007004號韓國專利申請的優先權,并在此將其公開的全部內容通過引用方式并入本申請。
背景技術
有機發光器件(OLED)包括兩個電極(陽極和陰極)以及位于電極之間的一個或多個有機材料層。在具有上述結構的有機發光器件中,如果在兩個電極之間施加電壓,空穴和電子分別由陽極和陰極傳遞到有機材料層,它們復合以形成激子,且當激子回到基態時發出對應于不同能級的光子。基于此原理,有機發光器件發出可見光,且可通過使用此有機發光器件制備信息顯示器件或照明器件。
在有機發光器件中,在底部發光類型中,在有機材料層中產生的光向基板發射,而在頂部發光類型中,光向基板的反方向發射。在兩側發光類型中,光向基板方向和基板反方向同時發射。
在無源矩陣有機發光器件(無源矩陣OLED;PMOLED)顯示器中,陰極和陽極相互垂直,且陰極和陽極相互交叉的位置區域被用作一個像素。因此,底部發光類型和頂部發光類型從有效顯示孔徑比的方面來看相互差別不大。
然而,有源矩陣有機發光器件(有源矩陣OLED;AMOLED)顯示器使用薄膜晶體管(TFT)作為驅動每個像素的開關器件。在TFT的制備中,由于通常需要高溫工藝(至少數百℃以上),在電極和有機材料層沉積之前在玻璃基板上完成驅動有機發光器件所需的TFT排列。在此,如上所述,在其上存在TFT排列的玻璃基板被稱為底板。在采用底部發光類型制備使用底板的有源矩陣有機發光器件顯示器的情況下,由于向基板發射的一部分光被TFT排列阻擋,所以減少了顯示的有效面積比。在為了制備精密顯示器而在一個像素上設置多個TFT的情況下,這個問題變得更加嚴重。因此,在有源矩陣有機發光器件的情況下,需要以頂部發光類型制備。
在頂部發光或兩側發光的有機發光器件中,不與基板接觸且在基板對面的電極在可見光區域應該是透明的。在有機發光器件中,如IZO(氧化銦鋅)或ITO(氧化銦錫)的導電氧化物膜被用作透明電極。然而,由于導電氧化物膜的功函數非常高(通常>4.5eV),在使用該導電氧化物膜形成陰極的情況下,由于難以由陰極向有機材料層注入電子,因此有機發光器件的工作電壓大大提高,且降低了重要的器件性能(如發光效率等)。因此,需要制備具有如下結構的頂部發光或兩側發光的有機發光器件,其中,依次層疊基板、陰極、有機材料層和陽極,即反轉結構。
此外,在有源矩陣有機發光器件中,在a-Si?TFT(a-Si薄膜晶體管)用作TFT的情況下,由于a-Si?TFT的物理性能是主要電荷載體為電子,因此a-Si?TFT的結構是源極結(source?junction)與漏極結(drain?junction)以n-型摻雜。因此,在制備使用a-Si?TFT的有源矩陣器件的情況下,首先在形成于基板上的源極結或漏極結上形成有機發光器件的陰極,然后依次形成有機材料層和形成導電氧化物膜陽極(如ITO或IZO)。換句話說,制備出具有反轉結構的有機發光器件,其從電荷注入和工藝簡化的角度來看是優選的。
然而,在制備具有反轉結構的有機發光器件的工藝中,在置于有機材料層上的電極通過使用如IZO或ITO的透明導電氧化物膜形成的情況下,如果使用電阻加熱蒸鍍方法,在加熱蒸鍍工藝中,由于因熱分解等造成的氧化物本征化學成分比的變化,導致了性能(如導電性和可見光透過率)損失。因此,當沉積導電氧化物膜時,不使用電阻加熱蒸鍍方法,且在大多數情況下,使用了用等離子體的方法,如濺射法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





