[發(fā)明專利]一種Fe/P3HT顆粒薄膜磁電阻器件及制備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410242513.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN104009152B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程雅慧;賀婕;劉暉;劉孟寅;王衛(wèi)超;王維華;盧峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南開大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型的Fe/P3HT顆粒薄膜磁電阻器件，其特征在于在有機(jī)半導(dǎo)體P3HT薄膜上，通過離子束沉積的方法嵌入Fe的納米顆粒，形成一種顆粒薄膜結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的Fe/P3HT顆粒薄膜磁電阻器件的制備方法，其特征在于制備過程將旋涂與離子束沉積技術(shù)相結(jié)合，具體步驟如下：

1)將有機(jī)半導(dǎo)體P3HT溶于三氯甲烷有機(jī)溶劑中，濃度為10mg/ml，在常溫下避光攪拌24小時(shí)，使P3HT充分溶解均勻；

2)將步驟1)的混合溶液滴在清潔的玻璃襯底上，打開旋涂儀進(jìn)行旋涂，旋涂儀轉(zhuǎn)速為1000-4000rpm，旋涂時(shí)間為20-60s；

3)將步驟2)的得到的覆蓋有P3HT的玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的溫度下真空干燥10小時(shí)，得到P3HT薄膜；

4)將步驟3)得到的P3HT薄膜作為襯底安裝在離子束沉積系統(tǒng)的基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，抽真空，當(dāng)真空室壓強(qiáng)低于6.67×10^-4Pa后開始沉積鐵薄膜，得到最終的Fe/P3HT磁電阻器件；

5)步驟4)所述的離子束沉積過程中，靶材選用99.99％的鐵靶，襯底溫度保持常溫，襯底以20rpm的速率自轉(zhuǎn)；

6)步驟4)所述的離子束沉積過程中，應(yīng)向真空室通入99.999％的高純Ar氣，真空室的Ar氣壓強(qiáng)為1.4×10^-2Pa，Ar氣流量為3sccm，濺射束流為20mA，濺射能量為500eV，濺射時(shí)間為30分鐘。

3.如權(quán)利要求2所述的制備Fe/P3HT顆粒薄膜磁電阻器件的方法，其特征在于所述的旋涂儀轉(zhuǎn)速優(yōu)選2000rpm，旋涂時(shí)間優(yōu)選40s。