[發明專利]連續運行式三氯氫硅的提純系統有效
| 申請號: | 201410240803.4 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN104003401A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 姜利霞;嚴大洲;楊永亮;肖榮暉;湯傳斌 | 申請(專利權)人: | 中國恩菲工程技術有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳貴明;張永明 |
| 地址: | 100036*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連續 運行 式三氯氫硅 提純 系統 | ||
技術領域
本發明涉及多晶硅生產領域,具體而言,涉及一種連續運行式三氯氫硅的提純系統。
背景技術
多晶硅是制造半導體器件、集成電路、太陽能電池材料的基礎材料,是信息和能源產業的基石,也是國家鼓勵優先發展的戰略材料。目前世界上大多數的多晶硅通過改良西門子法制得。其中,改良西門子法主要包括三氯氫硅合成、精餾提純、還原、尾氣回收及氫化五道工序。其中,氫化的主要反應式如下:
3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl3
三氯氫硅合成的主要反應式如下:
Si+3HCl=SiHCl3+H2
在上述改良西門子法中,精餾提純工序是保證多晶硅純度的重要工序。現有的精餾提純工序是將氫化工序或合成工序產出的三氯氫硅粗液通過包括多個精餾塔的提純塔組,經過反復的冷凝和汽化進行提純。然而,由于反應原料或產物中含有氫氣或氯化氫,使三氯氫硅粗液中不可避免地含有氫氣、氯化氫等不凝氣。這些不凝氣的存在,一方面會造成提純塔組中的壓力波動,影響提純塔組中的壓力環境,導致提純塔組的運行產生不穩定現象,另一方面,還會增加后期尾凝器和尾氣淋洗塔的負擔。
基于上述原因,有必要提出一種有效的方法,用以改善提純塔組因不凝氣產生的運行不穩定的問題。
發明內容
本發明旨在提供一種連續運行式三氯氫硅的提純系統,以解決因不凝氣的存在所導致的提純塔組運行不穩定的問題。
為了實現上述目的,根據本發明的一個方面,提供了一種連續運行式三氯氫硅的提純系統,包括提純塔組,還包括按照物料的流動方向設置在提純塔組上游,用于脫除三氯氫硅粗液中不凝氣的脫氣裝置,脫氣裝置包括:加熱系統和排氣罐,其中,加熱系統按照物料的流動方向設置在提純塔組上游;排氣罐設置在加熱系統和提純塔組之間,且排氣罐上設置有不凝氣排氣口。
進一步地,上述排氣罐中設置有壓力調節件。
進一步地,上述加熱系統包括多個加熱器,且各加熱器的加熱溫度沿物料的流動方向依次升高。
進一步地,上述加熱系統包括按照物料的流動方向依次設置的第一加熱器和第二加熱器。
進一步地,上述第一加熱器為換熱器。
進一步地,上述換熱器中熱介質為提純塔組中脫重塔流出的四氯化硅液體。
進一步地,具有四氯化硅液體排出口的脫重塔作為第一精餾塔設置在提純塔組中,排氣罐的出料口與第一精餾塔的進料口相連。
進一步地,還包括回收罐,回收罐與換熱器的熱介質出口相連。
進一步地,在回收罐與換熱器的熱介質出口之間還設有冷卻系統。
應用本發明的連續運行式三氯氫硅的提純系統。通過在提純塔組上游設置的加熱系統,以對從氫化工序或合成工序出來的三氯氫硅粗液進行加熱處理。使得經加熱處理的三氯氫硅粗液中不凝氣的溶解度下降,進而有利于使原本溶于粗液中的不凝氣被分離出來。并通過在加熱系統下游設置排氣罐,在完成排出不凝氣的目的的同時能夠將三氯氫硅粗液連續輸送至提純塔組中。經上述處理的三氯氫硅粗液中不凝氣的含量大大下降,這就有利于改善后期提純塔組中的運行壓力因不凝氣發生的波動,提高提純塔組的運行穩定性。
附圖說明
構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發明的進一步理解,本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明,并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
圖1示出了根據本發明一種實施方式的三氯氫硅的提純系統;
圖2示出了根據本發明另一種實施方式的三氯氫硅的提純系統;
圖3示出了采用本發明實施例1中三氯氫硅的提純系統中的脫氣裝置,對三氯氫硅粗液進行脫氣處理后得到的粗液中不凝氣的去除率隨不凝氣原始含量的變化圖;
圖4示出了采用本發明實施例2中三氯氫硅的提純系統中的脫氣裝置,對三氯氫硅粗液進行脫氣處理后得到的粗液中不凝氣的去除率隨不凝氣原始含量的變化圖;
圖5示出了采用本發明實施例3中三氯氫硅的提純系統中的脫氣裝置,對三氯氫硅粗液進行脫氣處理后得到的粗液中不凝氣的去除率隨不凝氣原始含量的變化圖;
圖6示出了采用本發明實施例4中三氯氫硅的提純系統中的脫氣裝置,對三氯氫硅粗液進行脫氣處理后得到的粗液中不凝氣的去除率隨不凝氣原始含量的變化圖;
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