[發明專利]一種頂針機構、反應腔室及半導體加工設備有效
| 申請號: | 201410240737.0 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN105097609B | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發明(設計)人: | 陳春偉 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 頂針 機構 反應 半導體 加工 設備 | ||
1.一種頂針機構,用于在機械手和承載裝置之間傳輸托盤,其包括多個頂針,所述多個頂針可相對于所述承載裝置在豎直方向上作升降運動,其特征在于,所述托盤底面上設有環形凹槽,所述環形凹槽與所述多個頂針相對應;
每個頂針的側面設有檢測裝置,所述檢測裝置的頂端低于頂針的頂端,且所述檢測裝置的頂端和頂針的頂端在豎直方向上的高度差小于所述托盤底面上環形凹槽的深度,所述檢測裝置用于檢測其頂端是否與所述托盤底面相接觸。
2.根據權利要求1所述的頂針機構,其特征在于,當所述頂針位于所述托盤底面的環形凹槽內時,所述檢測裝置頂端與所述托盤底面相接觸;當所述頂針未處于所述托盤底面的環形凹槽內時,所述檢測裝置頂端與所述托盤底面不接觸。
3.根據權利要求1所述的頂針機構,其特征在于,所述檢測裝置包括沿豎直方向由下至上依次設置的傳感器和傳感器延長件,以及導向件;所述傳感器固定設置于所述頂針的側面,所述傳感器和傳感器延長件之間設有彈性部件,所述導向件用于對所述傳感器延長件進行導向,使其保持豎直狀態。
4.根據權利要求3所述的頂針機構,其特征在于,當所述頂針未處于所述托盤底面的環形凹槽內時,所述傳感器延長件頂端與所述托盤底面不接觸,所述彈性部件未被壓縮,所述傳感器上端不與所述傳感器延長件下端接觸,使所述傳感器未被觸發;當所述頂針位于所述托盤底面的環形凹槽內時,所述傳感器延長件頂端與所述托盤底面相接觸,所述托盤壓縮所述彈性部件,使所述傳感器上端與所述傳感器延長件下端接觸,觸發所述傳感器發出信號。
5.根據權利要求3所述的頂針機構,其特征在于,所述傳感器為微動開關或壓力開關。
6.根據權利要求3所述的頂針機構,其特征在于,所述導向件為環繞所述傳感器延長件,且固定于頂針上的環形套。
7.根據權利要求3所述的頂針機構,其特征在于,所述頂針和導向件由金屬材料制成。
8.一種反應腔室,包括承載裝置和頂針機構,其特征在于,所述頂針機構采用權利要求1-7任意一項所述的頂針機構。
9.一種半導體加工設備,包括反應腔室,其特征在于,所述反應腔室采用權利要求8所述的反應腔室。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





