[發明專利]一種等離子鍍膜設備用引弧裝置

有效

• 申請號: 201410240556.8
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN103981493A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 林國強;錢立平;韓治昀;魏科科
• 申請（專利權）人: 大連理工常州研究院有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于電源領域，特別涉及一種引弧裝置。

背景技術

電弧鍍膜、電弧離子鍍的原理是基于冷陰極自持真空弧光放電理論。在電弧源離子鍍中，以鍍膜材料作為靶極(陰極)，借助引孤裝置，使靶表面產生弧光放電。采用低電壓、大電流、電弧放電技術，利用氣體放電或被蒸發物質部分電離，并在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊下，將被蒸發物質或其反應產物沉積在基片上。它是一種自蒸發自離化式固體蒸發源。這種蒸發源可蒸鍍金屬材料、合金材料，也可進行反應離子鍍，如TiN、TiC、(TiAl)N、ZrN、等超硬膜，Al、Ag、Cu高低溫耐蝕膜、不銹鋼、黃銅、鎳鉻、(TiAl)N、Ti、Cr等裝飾保護膜等。

在電弧鍍膜、空心陰極鍍膜、磁控濺射、離子束鍍膜等這許多方法中，其中電弧鍍膜被認為最具有市場價值。

該方法運用了等離子體真空鍍膜原理，將電弧鍍技術與磁控離子鍍技術融合一體，實現多功能鍍膜的目的。

目前，在等離子涂膜設備中采用的引弧裝置有高頻引弧器和工頻升壓脈沖引弧器，高頻引弧器缺點有：

(1)高頻引弧器的火花放電器容易燒蝕，間隙難以調整；

(2)體積大、質量重；

(3)高頻引弧器對計算機、通信、快速開關管和快速整流管干擾嚴重。

而工頻升壓脈沖引弧器體積龐大，成本高。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，該裝置用倍壓整流取代龐大、昂貴的工頻升壓變壓器，用脈沖觸發晶體開關技術經脈沖升壓隔離變壓器輸出脈沖引弧電壓，具有穩定、安全、可靠的優點。

本發明為實現上述目的所采用的技術方案是：一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，其特征在于：二極管D1、D2同向串聯，電解電容C1、C2同向串聯，市電AC的L經限流電阻R1和N分別接二極管D1、D2串聯聯接點和電解電容C1、C2串聯連接點，串聯后的二極管D1、D2的負端和正端分別連接串聯后的電解電容C1、C2的正端和負端，二極管D1和電解電容C1的連接點與MOS管Q的漏極相接，MOS管Q反向并聯有二極管D3，MOS管Q的控制極經電阻R2連接觸發變壓器T1次級的一端，MOS管Q的源極連接觸發變壓器T1次級的另一端，再經電感L1連接脈沖變壓器T2的1輸入端，脈沖變壓器T2的另一輸入端經電阻R3和電阻R4接GND，電容C3垮接于電阻R3和電阻R4的兩端，觸發變壓器T1的輸入端連接脈沖觸發電路，脈沖觸發電路連接控制電路和電阻R4與電阻R3的連接點。

所述脈沖變壓器T2初次級匝數比小于或等于1：3。

本發明的有益效果是：裝置簡單、體積小、質量輕，成本低，功耗小，可靠性高，降低了對計算機、電子設備的干擾。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步說明。

圖1是一種等離子鍍膜設備用引弧裝置結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明做進一步說明，但本發明并不局限于具體實施例。

實施例

如圖1所示的一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，其中，二極管D1、D2電解電容C1、C2組成倍壓整流，串聯了的C1、C2兩端的電壓是輸入交流電壓的2*1.414倍，即220V*2.828達622V，接法是二極管D1、D2同向串聯，電解電容C1、C2也是同向串聯，市電AC的L和N接分別接二極管D1、D2串聯聯接點和電解電容C1、C2串聯連接點，串聯后的二極管D1、D2的負端和正端分別連接串聯后的電解電容C1、C2的正端和負端，二極管D1和電解電容C1的連接點與MOS管Q的漏極相接，MOS管Q反向并聯有保護二極管D3，MOS管Q的控制極經電阻R2連接觸發變壓器T1次級的一端，MOS管Q的源極連接觸發變壓器T1次級的另一端，再經電感L1連接脈沖變壓器T2的1輸入端，變壓器T2的另一輸入端經電阻R3、R4接GND,電容C3垮接于串聯了的電阻R3、R4的兩端，R3、R4是C3的放電電阻，R4又是電流取樣電阻，觸發變壓器T1的輸入端連接脈沖觸發電路，脈沖觸發電路受控制電路和R4上反饋保護信號控制，MOS管Q被脈沖觸發導通，串聯的電解電容兩端的電壓經可控硅Q、電感L1、脈沖變壓器T2初級、電容器C3放電，由于此時回路阻抗很小，通過脈沖變壓器初級電流很大，強大的能量反饋到次級，而其次級的匝數是10倍，即脈沖變壓器T2初次級匝數比為1：10，輸出6千伏以上引弧電壓。