[發明專利]一種防藍光光學鏡片的制造方法

有效

• 申請號: 201410238603.5
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN103984120A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 吳曉彤
• 申請（專利權）人: 奧特路（漳州）光學科技有限公司
• 主分類號: G02C7/10
• 分類號: G02C7/10;G02B1/10;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/18
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種防藍光光學鏡片的制造方法，所述制造方法是在基片外表面和內表面分別蒸鍍膜系形成防藍光光學鏡片，其特征在于：所述制造方法具體包括以下步驟：

1）對基片進行清洗；

2）基片清洗后的干燥：將清洗后的基片用異丙醇脫干，脫干后的基片采用異丙醇慢拉干燥；

3）基片鍍膜前在真空蒸鍍機的真空艙內的再次清洗：將異丙醇慢拉干燥后的基片置于真空蒸鍍機的真空艙內，將真空艙內的真空度調整至小于或等于9.5×10^-3帕，啟動離子源對基片進行清洗；

4）基片的鍍膜：基片的鍍膜包括在基片的外表面鍍膜系和在基片的內表面鍍膜系；

A、基片的外表面鍍膜系依序包括鍍抗沖擊強化膜層、鍍抗紫外線膜層、鍍防藍光膜層、鍍光學調控膜層、鍍防油污膜層；

A1、鍍抗沖擊強化膜層：將真空艙內的真空度調整至小于或等于2.0×10^-3帕，采用電子槍，將抗沖擊強化膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于基片外表面，形成抗沖擊強化膜層，抗沖擊強化膜層的厚度為0.1-600納米；所述抗沖擊強化膜層的膜材為氧化硅；

A2、鍍抗紫外線膜層：采用電子槍將抗紫外線膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟A1中抗沖擊強化膜層的表面，形成抗紫外線膜層，抗紫外線膜層的厚度為0.1-600納米；所述抗紫外線膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：氧化硅20%-80%；氧化鋯20%-80%；

A3、鍍防藍光膜層：采用電子槍將防藍光膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟A2中抗紫外線膜層的表面，形成防藍光膜層，防藍光膜層的厚度為0.1-600納米；所述防藍光膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：氧化錫30%-60%；銣10%-40%；鉑10%-40%。

重復步驟A3至少一次以上，形成兩層以上相互堆疊的防藍光膜層；

A4、鍍光學調控膜層：采用電子槍將光學調控膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟A3中防藍光膜層的表面，形成光學調控膜層，光學調控膜層的厚度為0.1-600納米；所述光學調控膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：鋁40%-60%；氧化硅40%-60%；

A5、鍍防油污膜層：采用電子槍將防油污膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟A4中光學調控膜層的表面，形成防油污膜層，防油污膜層的厚度為0.1-600納米；所述防油污膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：氟化鎂60%-80%；氧化鋯20%-40%；

防油污膜層鍍膜完成，基片的外表面鍍膜系完成后，轉入基片的內表面鍍膜系；

B、基片的內表面鍍膜系依序包括鍍抗沖擊強化膜層、鍍抗紫外線膜層、鍍防藍光膜層、鍍防油污膜層；

B1、鍍抗沖擊強化膜層：采用電子槍，將抗沖擊強化膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于基片內表面表面，形成抗沖擊強化膜層，抗沖擊強化膜層的厚度為0.1-600納米；所述抗沖擊強化膜層的膜材為氧化硅；

B2、鍍抗紫外線膜層：采用電子槍將抗紫外線膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟A1中抗沖擊強化膜層的表面，形成抗紫外線膜層，抗紫外線膜層的厚度為0.1-600納米；所述抗紫外線膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：氧化硅20%-80%；氧化鋯20-80%；

重復步驟B2至少一次以上，形成兩層以上相互堆疊的抗紫外線膜層；

B3、鍍防藍光膜層：采用電子槍將防藍光膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟B2中抗紫外線膜層的表面，形成防藍光膜層，防藍光膜層的厚度為0.1-600納米；所述防藍光膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：氧化錫30%-60%；銣10%-40%；鉑10%-40%；

重復步驟B3至少一次以上，形成兩層以上相互堆疊的防藍光膜層；

B4、鍍防油污膜層：采用電子槍將防油污膜層的膜材進行蒸發后，在離子源的作用下所述膜材以納米級分子形式沉積于步驟B3中防藍光膜層的表面，形成防油污膜層，防油污膜層的厚度為0.1-600納米；所述防油污膜層的膜材包括以下重量比組分的混合物：氟化鎂60%-80%；氧化鋯20%-40%。