[發(fā)明專利]半導(dǎo)體襯底、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410234083.0
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN105140198B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志成;蘇洹漳;何政霖;吳崇銘;顏尤龍
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

第一圖案化金屬層；

第二圖案化金屬層，其位于所述第一圖案化金屬層下方；

第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層之間并且包括至少一個(gè)導(dǎo)通孔，所述至少一個(gè)導(dǎo)通孔從所述第一圖案化金屬層延伸到所述第二圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層是通過所述至少一個(gè)導(dǎo)通孔電連接；

第二電介質(zhì)層，其鄰接于所述第一電介質(zhì)層且包覆所述第二圖案化金屬層，并且所述第二電介質(zhì)層具有多個(gè)第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層；以及

載體層，其鄰接于所述第二電介質(zhì)層并具有多個(gè)第二開口，所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實(shí)質(zhì)上相對應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述第二開口的大小實(shí)質(zhì)上大于或等于所述第一開口的大小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述載體層進(jìn)一步包括第三圖案化金屬層和承載層，所述第三圖案化金屬層鄰接于所述第二電介質(zhì)層，所述承載層鄰接于所述第三圖案化金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層包括感光材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述載體層緊密貼合或壓合所述第二電介質(zhì)層。

6.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

第一圖案化金屬層；

第二圖案化金屬層，其位于所述第一圖案化金屬層下方；

電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層之間并且包覆所述第二圖案化金屬層，所述電介質(zhì)層具有多個(gè)第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層，所述電介質(zhì)層包括至少一個(gè)導(dǎo)通孔，所述至少一個(gè)導(dǎo)通孔從所述第一圖案化金屬層延伸到所述第二圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層是通過所述至少一個(gè)導(dǎo)通孔電連接；以及

載體層，其鄰接于所述電介質(zhì)層并具有多個(gè)第二開口，所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實(shí)質(zhì)上相對應(yīng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述第二開口的大小實(shí)質(zhì)上大于或等于所述第一開口的大小。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述載體層進(jìn)一步包括第三圖案化金屬層和承載層，所述第三圖案化金屬層鄰接于所述電介質(zhì)層，所述承載層鄰接于所述第三圖案化金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述電介質(zhì)層包括感光材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述載體層緊密貼合或壓合所述電介質(zhì)層。

11.一種半導(dǎo)體襯底的制造方法，其包含以下步驟：

提供襯底，所述襯底包含：

第一圖案化金屬層；

第二圖案化金屬層，其位于所述第一圖案化金屬層下方；

第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層之間并且包括至少一個(gè)導(dǎo)通孔，所述至少一個(gè)導(dǎo)通孔從所述第一圖案化金屬層延伸到所述第二圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層是通過所述至少一個(gè)導(dǎo)通孔電連接；

第二電介質(zhì)層，其鄰接于所述第一電介質(zhì)層且包覆所述第二圖案化金屬層，并且所述第二電介質(zhì)層具有多個(gè)第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層；以及

在所述第二電介質(zhì)層上提供載體層，所述載體層具有多個(gè)第二開口，所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實(shí)質(zhì)上相對應(yīng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體襯底的制造方法，其中所述載體層進(jìn)一步包括第三圖案化金屬層和承載層，所述第三圖案化金屬層鄰接于所述第二電介質(zhì)層，所述承載層鄰接于所述第三圖案化金屬層。