[發(fā)明專利]功率為100W的12dB衰減片

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410231823.5
• 申請(qǐng)日: 2014-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104241760A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種功率衰減片，特別涉及一種功率為100W的12dB衰減片。

背景技術(shù)

目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無(wú)法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無(wú)法及時(shí)地做出判斷，對(duì)設(shè)備沒(méi)有保護(hù)作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,從而對(duì)設(shè)備形成有效保護(hù)。

衰減片作為一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國(guó)內(nèi)100W-12dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到1G頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時(shí),其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了2G以上的頻段應(yīng)用要求。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種阻值滿足56.8±3％Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為12±0.6dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率為100W的12dB衰減片。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

其包括一8.9*5.7*1MM的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導(dǎo)線及5個(gè)黑色電阻，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個(gè)黑色電阻上均一一對(duì)應(yīng)印刷有5個(gè)玻璃保護(hù)膜，所述5個(gè)玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有兩層保護(hù)膜。

優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層和銀漿導(dǎo)線由高純度銀漿通過(guò)厚膜印刷而成。

優(yōu)選的，所述氮化率陶瓷基板為高導(dǎo)熱低熱膨脹系數(shù)氮化鋁陶瓷基板。

上述技術(shù)方案具有如下有益效果：該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在設(shè)計(jì)思路上優(yōu)化了輸出端的電路結(jié)構(gòu)，改善了輸出端的駐波，同時(shí)通過(guò)電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。同時(shí)得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值56.8±3％Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為12±0.6dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。

如圖1所示，該功率為100W的12dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有導(dǎo)體層，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板1的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來(lái)形成TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3用于保護(hù)電阻R1、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，黑色保護(hù)膜4上再印刷有一層黑色保護(hù)膜5，這樣可對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行包括，黑色保護(hù)膜5上還可印刷品牌和型號(hào)。

該衰減片輸入端和接地的阻值為56.8±3％Ω，輸出端和接地端的阻值為56.8±3％Ω。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，從輸出端經(jīng)過(guò)R1、R2、R5、R3、R4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。

該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在設(shè)計(jì)思路上優(yōu)化了輸出端的電路結(jié)構(gòu)，改善了輸出端的駐波，同時(shí)通過(guò)電阻值的精確修改，得到高精度的衰減值。同時(shí)得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值56.8±3％Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為12±0.6dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種功率為100W的12dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。