[發(fā)明專利]一種傳輸裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410230510.8
• 申請日: 2014-05-28
• 公開（公告）號: CN105097625A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宗令蓓
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種傳輸裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體加工設(shè)備一般包括反應(yīng)腔室和機(jī)械手，其中，反應(yīng)腔室用于對晶片進(jìn)行工藝處理，機(jī)械手用于在工藝過程中向反應(yīng)腔室內(nèi)傳輸晶片。

圖1為現(xiàn)有的機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，機(jī)械手包括本體1、升降機(jī)構(gòu)(圖中未示出)和伸縮機(jī)構(gòu)(圖中未示出)；其中，本體1用于承載晶片2；升降機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)本體1在豎直方向作升降運(yùn)動(dòng)；伸縮機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)本體1在水平方向作伸縮運(yùn)動(dòng)。在工藝過程中，本體1承載著晶片2，在升降機(jī)構(gòu)和伸縮機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)下，從反應(yīng)腔室外部運(yùn)動(dòng)至反應(yīng)腔室內(nèi)部，并將晶片2放置于反應(yīng)腔室內(nèi)部的指定位置，從而實(shí)現(xiàn)晶片的傳輸過程。

在上述機(jī)械手中，本體1上設(shè)置有多個(gè)凸部3，所述多個(gè)凸部3由橡膠或石英制成，這樣使晶片2置于本體1上時(shí)，與凸部3接觸，并使晶片2與凸部3之間具有較大的摩擦系數(shù)，這樣可以使晶片2與凸部3之間具有較大的摩擦力，在一定程度上防止晶片2在其傳輸過程中相對于機(jī)械手滑動(dòng)或從機(jī)械手上脫落。

但上述機(jī)械手在實(shí)際應(yīng)用中不可避免地存在下述問題，即：

在上述機(jī)械手中，凸部3與晶片2之間具有較大的摩擦系數(shù)，可以使晶片與凸部3之間具有較大的摩擦力，但由于凸部3與晶片2之間的接觸面積較小，使得該摩擦力的大小并不能達(dá)到完全阻止晶片2相對于機(jī)械手滑動(dòng)的程度。并且，在晶片2相對于機(jī)械手滑動(dòng)的過程中，晶片2與凸部3之間會(huì)產(chǎn)生摩擦，使晶片2和/或凸部3表面的顆粒脫落；若上述顆粒落入反應(yīng)腔室中，則會(huì)造成反應(yīng)腔室被污染。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種傳輸裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備，其可以在機(jī)械手取片時(shí)，在機(jī)械手與晶片之間產(chǎn)生靜電吸附力，從而將晶片固定在機(jī)械手上，防止晶片相對于機(jī)械手產(chǎn)生滑動(dòng)。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種傳輸裝置，包括用于傳輸晶片的機(jī)械手，所述機(jī)械手包括本體，所述本體具有用于承載晶片的承載面，且在所述承載面上覆蓋有絕緣層，并且在所述絕緣層內(nèi)埋設(shè)有電極層，所述電極層包括采用導(dǎo)電材料制作的正電極和負(fù)電極。

其中，所述傳輸裝置還包括電源，所述電源與所述電極層的正電極和負(fù)電極連接，用于在所述機(jī)械手取放片的過程中對電極層施加電壓，以實(shí)現(xiàn)對晶片的取放。

其中，在所述機(jī)械手取片時(shí)，所述電源的正極和負(fù)極分別與所述正電極和負(fù)電極導(dǎo)通；在所述機(jī)械手放片時(shí)，所述電源的正極和負(fù)極分別與所述正電極和負(fù)電極斷開，且所述正電極和負(fù)電極均接地。

其中，所述正電極和負(fù)電極的數(shù)量為一個(gè)，且所述正電極和負(fù)電極在所述本體的承載面上的投影面積相等。

其中，所述正電極和所述負(fù)電極的數(shù)量為多個(gè)，且所述正電極和負(fù)電極的數(shù)量相等；并且每個(gè)正電極和負(fù)電極在所述本體的承載面上的投影面積相等。

其中，所述正電極和負(fù)電極對稱地設(shè)置在平行于所述機(jī)械手的傳輸方向上的中心線的兩側(cè)。

其中，根據(jù)所述正電極和負(fù)電極在所述本體的承載面上的投影面積、晶片的重量和/或機(jī)械手的最大傳輸速度而設(shè)定所述電源在所述機(jī)械手取片時(shí)分別向所述正電極和負(fù)電極加載的電壓。

其中，所述電源分別向所述正電極和負(fù)電極加載的電壓為350V。

其中，所述絕緣層的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和傳輸裝置，其中反應(yīng)腔室用于對晶片進(jìn)行工藝處理，傳輸裝置用于向反應(yīng)腔室內(nèi)傳輸晶片，且所述傳輸裝置采用本發(fā)明提供的上述傳輸裝置。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的傳輸裝置，通過在機(jī)械手取片時(shí)向正電極和負(fù)電極分別加載正電壓和負(fù)電壓，使正電極和負(fù)電極上產(chǎn)生電荷，進(jìn)而使電極層與晶片之間產(chǎn)生靜電吸附力，這樣在機(jī)械手傳輸晶片的過程中，上述靜電吸附力可以將晶片牢固地固定在機(jī)械手的承載面上，從而防止了晶片與機(jī)械手之間產(chǎn)生相對滑動(dòng)，以及晶片從機(jī)械手上脫落；此外，本發(fā)明提供的傳輸裝置通過靜電吸附力將晶片固定在機(jī)械手上，還使晶片與機(jī)械手之間不產(chǎn)生摩擦，從而避免了顆粒的產(chǎn)生，不會(huì)對腔室造成污染。