[發明專利]具有減小的EMI噪聲的無橋式PFC功率變換器

在審

• 申請號: 201410228724.1
• 申請日: 2014-05-27
• 公開（公告）號: CN104218826A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 許華明;李威;張輝;張新豪;張毅
• 申請（專利權）人: 弗萊克斯電子有限責任公司
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M1/44
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種無橋式功率因數校正升壓變換器，包括：

a.第一晶體管開關，所述第一晶體管開關耦合至AC電壓源的第一端子；

b.第二晶體管開關，所述第二晶體管開關耦合至所述AC電壓源的第二端子；

c.第一二極管，所述第一二極管包括耦合至所述第一晶體管開關的陽極；

d.第二二極管，所述第二二極管包括耦合至所述第二晶體管開關的陽極；

e.升壓電感器，所述升壓電感器包括耦合至所述第一整流二極管的陽極和所述第一晶體管開關的第一端子，其中所述升壓電感器還包括耦合至所述第二整流二極管的陽極和所述第二晶體管開關的第二端子；

f.第三二極管，所述第三二極管包括耦合至所述AC電壓源的所述第一端子的陰極；

g.第四二極管，所述第四二極管包括耦合至所述AC電壓源的所述第二端子的陰極；以及

h.輸出電容器，所述輸出電容器包括耦合至所述第一二極管的陰極和所述第二二極管的陰極的第一端子，其中所述輸出電容器還包括耦合至所述第三二極管的陽極和所述第四二極管的陽極的第二端子。

2.根據權利要求1所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第一二極管和所述第二二極管均包括升壓整流二極管，并且所述第三二極管和所述第四二極管均包括續流二極管。

3.根據權利要求1所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第一晶體管開關的第一端子耦合至所述升壓電感器的所述第一端子和所述第一二極管的所述陽極，并且所述第一晶體管開關的第二端子耦合至所述AC電壓源的所述第一端子和所述第三二極管的所述陰極。

4.根據權利要求1所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第二晶體管開關的第一端子耦合至所述升壓電感器的所述第二端子和所述第二二極管的所述陽極，并且所述第二晶體管開關的第二端子耦合至所述AC電壓源的所述第二端子和所述第四二極管的所述陰極。

5.根據權利要求1所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第一晶體管開關和所述第二晶體管開關均包括金屬氧化物半導體場效應晶體管。

6.一種無橋式功率因數校正升壓變換器，包括：

a.第一晶體管開關，所述第一晶體管開關耦合至AC電壓源的第一端子；

b.第二晶體管開關，所述第二晶體管開關耦合至所述AC電壓源的第二端子；

c.第一二極管，所述第一二極管包括耦合至所述第一晶體管開關的陽極；

d.第二二極管，所述第二二極管包括耦合至所述第二晶體管開關的陽極；

e.升壓電感器，所述升壓電感器包括耦合至所述第一整流二極管的所述陽極和所述第一晶體管開關的第一端子，其中所述升壓電感器還包括耦合至所述第二整流二極管的所述陽極和所述第二晶體管開關的第二端子；

f.第三晶體管開關，所述第三晶體管開關耦合至所述AC電壓源的所述第一端子；

g.第四晶體管開關，所述第四晶體管開關耦合至所述AC電壓源的所述第二端子；以及

h.輸出電容器，所述輸出電容器包括耦合至所述第一二極管的陰極和所述第二二極管的陰極的第一端子，其中所述輸出電容器還包括耦合至所述第三晶體管開關和所述第四晶體管開關的第二端子。

7.根據權利要求6所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第一二極管和所述第二二極管均包括升壓整流二極管。

8.根據權利要求6所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第一晶體管開關的第一端子耦合至所述升壓電感器的所述第一端子和所述第一二極管的所述陽極，并且所述第一晶體管開關的第二端子耦合至所述AC電壓源的所述第一端子和所述第三晶體管開關的第一端子。

9.根據權利要求6所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第二晶體管開關的第一端子耦合至所述升壓電感器的所述第二端子和所述第二二極管的所述陽極，并且所述第二晶體管開關的第二端子耦合至所述AC電壓源的所述第二端子和所述第四晶體管開關的第一端子。

10.根據權利要求6所述的無橋式功率因數校正升壓變換器，其中所述第三晶體管開關的第一端子耦合至所述第一晶體管開關和所述AC電壓源的所述第一端子，并且所述第三晶體管開關的第二端子耦合至所述輸出電容器的所述第二端子。