[發明專利]一種薄膜太陽能電池的生產方法及其電沉積裝置有效
| 申請號: | 201410225488.8 | 申請日: | 2014-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN105206703B | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發明(設計)人: | 張征宇;李偉中 | 申請(專利權)人: | 北京恒基偉業投資發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C25D17/12 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250 | 代理人: | 張杰 |
| 地址: | 100083 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 生產 方法 及其 沉積 裝置 | ||
1.一種薄膜太陽能電池的生產方法,包括如下步驟:
(a)在玻璃基底上形成透明導電層;
(b)在所述透明導電層上形成窗口層;
(c)接觸電極穿透所述窗口層與所述透明導電層歐姆接觸;
(d)在步驟(c)中的所述透明導電層上,與所述接觸電極相鄰位置、貫通所述透明導電層和所述窗口層進行劃溝槽工序得到第一溝槽;
(e)將步驟(d)中獲得的半成品放置于電沉積槽內,對所述接觸電極和對電極進行通電,在所述窗口層上電沉積吸收層并同時填充所述第一溝槽;
(f)在步驟(e)的所述吸收層上形成背接觸層或在背接觸層上還繼續形成背電極層;
(g)移除所述接觸電極,所述接觸電極為頂針接觸電極或長條接觸電極,所述長條接觸電極的長邊與所述第一溝槽的長邊延伸方向相同;當所述接觸電極為頂針接觸電極時,移除所述接觸電極后在該半成品上形成的接觸電極空缺為頂針孔,與所述第一溝槽平行穿過所述頂針孔進行劃溝槽工序得到第二溝槽;當所述接觸電極為長條接觸電極時,移除所述接觸電極后在該半成品上形成的接觸電極空缺為長條形溝槽,所述長條形溝槽為第二溝槽并與所述第一溝槽平行;
(h)當步驟(f)中所述吸收層上只形成背接觸層時,填充在步驟(g)中獲得的半成品的所述第二溝槽后再形成背電極層或在步驟(g)中獲得的半成品上同時形成背電極層和填充所述第二溝槽;
當步驟(f)中所述吸收層上在形成背接觸層后在背接觸層上還繼續形成背電極層時,填充在步驟(g)中獲得的半成品的所述第二溝槽;
(i)對步驟(h)中獲得的半成品的所述吸收層上,與所述第二溝槽平行且相鄰位置、貫通所述背電極層進行劃溝槽工序得到第三溝槽;
(j)對步驟(i)中獲得的半成品進行電池封裝。
2.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,步驟(f)中的背接觸層或在背接觸層上還繼續形成背電極層都是通過蒸發或濺射或電沉積形成。
3.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,步驟(h)中的背電極層通過蒸發或濺射或電沉積形成在所述背接觸層和所述第二溝槽內。
4.根據權利要求2或3所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,背電極層通過電沉積方式形成的,在電沉積時背電極層與所述透明導電層歐姆接觸。
5.根據權利要求4所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,在步驟(e)之后且步驟(f)之前對所述吸收層進行退火處理。
6.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,所述長條接觸電極的接觸長邊的長度大于或等于所述第一溝槽的長邊長度。
7.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,所述長條接觸電極垂直于所述長邊方向的截面為圓形、方形、倒三角或梯形的一種。
8.根據權利要求7所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,所述長條接觸電極在端部連接通電時,步驟(g)中的所述長條接觸電極空缺通過向遠離所述玻璃基底方向撕除所述長條接觸電極獲得。
9.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,所述長條接觸電極長度方向上的側面為平面或曲面。
10.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,用于形成所述背電極層的材料為透明導電材質。
11.根據權利要求1所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,步驟(j)為:對稱設置步驟(i)中獲得的兩件半成品,兩件半成品之間設置太陽能電池封裝膜。
12.根據權利要求11所述薄膜太陽能電池的生產方法,其特征在于,所述太陽能電池封裝膜為乙烯-醋酸乙烯共聚物。
13.一種用于權利要求1-12任一所述薄膜太陽能電池生產方法的電沉積裝置,其特征在于,其包括
電沉積槽,其中充滿電解液;
長條接觸電極,設置在所述電沉積槽內與待電沉積表面電連接;
對電極,與所述長條接觸電極形成電連通;
所述長條接觸電極與所述待電沉積表面歐姆接觸且為面接觸,所述長條接觸電極與所述透明導電層的接觸面為長條形,所述長條接觸電極在垂直于所述待電沉積表面的截面為圓形、方形、倒三角形或梯形的一種;
所述長條接觸電極平行設置在所述待電沉積表面第一溝槽相鄰的位置上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





