[發明專利]一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置有效
| 申請號: | 201410224918.4 | 申請日: | 2014-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN104022124B | 公開(公告)日: | 2017-06-27 |
| 發明(設計)人: | 王東方;陳海晶 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置。
背景技術
柔性顯示技術在近幾年有了飛速的發展,由此帶動柔性顯示器從屏幕的尺寸到顯示的質量都取得了很大進步。無論是瀕臨消失的陰極射線管(Cathode Ray Tube,簡稱CRT),還是現今主流的液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD),本質上都屬于傳統的剛性顯示器。與傳統的剛性顯示器相比,柔性顯示器具有諸多優點,例如耐沖擊,抗震能力強,重量輕,體積小,攜帶更加方便等。
目前,柔性顯示器主要可分為三種:電子紙(柔性電泳顯示)、柔性有機電致發光二級管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)、以及柔性LCD。其制備方法一般包括:在承載基板上形成柔性基底,在柔性基底上形成薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT),以及相應的電極層,然后將承載基板與柔性基底剝離。
然而,由于柔性基底的熱膨脹系數較高,產生的形變較大,這樣會導致產生的應力作用于薄膜晶體管,從而對薄膜晶體管的性能產生影響。在此基礎上,當柔性基底與承載基板剝離時,柔性基底收縮程度較高,也容易加劇對TFT性能的影響。
發明內容
本發明的實施例提供一種柔性顯示基板及其制備方法、柔性顯示裝置,可降低柔性基底在形變以及剝離過程中對TFT性能的影響。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,提供一種柔性顯示基板,包括:柔性基底、設置在所述柔性基底上的柵金屬層、柵絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層、以及至少一層電極層;
所述柵金屬層包括柵極、柵線,且所述柵極和所述柵線之間斷開;所述柔性顯示基板還包括導電連接結構,所述導電連接結構分別與所述柵極和所述柵線電連接。
優選的,所述柵絕緣層包括覆蓋所述柵線的第一絕緣圖案和覆蓋所述柵極的第二絕緣圖案,所述第一絕緣圖案與所述第二絕緣圖案斷開。
進一步優選的,所述源漏金屬層包括源極和漏極,所述導電連接結構與所述源極和漏極同層設置,所述導電連接結構通過過孔分別與所述柵極和柵線連接。
基于上述描述,可選的,所述電極層包括陽極和陰極;所述柔性顯示基板還包括設置在所述陽極和所述陰極之間的有機材料功能層。
可選的,所述電極層包括像素電極。
另一方面,提供一種柔性顯示裝置,包括上述的柔性顯示基板。
再一方面,提供一種柔性顯示基板的制備方法,包括:
在承載基板上形成柔性基底;在所述柔性基底上形成柵金屬層、柵絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層、以及至少一層電極層;將所述承載基板和與所述承載基板接觸的柔性基底剝離,形成所述柔性顯示基板;
其中,所述柵金屬層包括柵極、柵線,且所述柵極和所述柵線之間斷開;所述柵極和所述柵線通過導電連接結構電連接。
優選的,形成所述柵絕緣層包括:形成覆蓋所述柵線的第一絕緣圖案和覆蓋所述柵極的第二絕緣圖案,所述第一絕緣圖案與所述第二絕緣圖案斷開。
優選的,在形成所述源漏金屬層之前,所述方法還包括在柵極和柵線上形成露出柵極和柵線的過孔。
進一步優選的,所述源漏金屬層包括源極和漏極,所述導電連接結構與所述源極、所述漏極采用同一次構圖工藝形成,所述導電連接結構通過所述過孔與所述柵極和柵線連接;其中,所述導電連接結構與所述源極、所述漏極、所述數據線非接觸。
基于上述描述,可選的,形成至少一層電極層,包括:形成陽極和陰極;所述方法還包括:在所述陽極和所述陰極之間形成有機材料功能層。
可選的,形成至少一層電極層,包括:形成像素電極。
本發明實施例提供了一種柔性顯示基板及其制備方法,柔性顯示裝置,該柔性顯示基板包括:柔性基底、設置在所述柔性基底上的柵金屬層、柵絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層、以及至少一層電極層;其中,所述柵金屬層包括柵極、柵線,且所述柵極和所述柵線之間斷開;所述柔性顯示基板還包括導電連接結構,所述導電連接結構分別與所述柵極和所述柵線電連接。
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