[發明專利]改進結構的絕緣導電帶

無效

• 申請號: 201410224425.0
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN103971799A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 龔利芬
• 申請（專利權）人: 龔利芬
• 主分類號: H01B7/02
• 分類號: H01B7/02;H01B7/38;H01B7/42;H01B9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.改進結構的絕緣導電帶，它包含有多根導電帶相互緊密疊合形成的導電帶體，導電帶體的橫截面形狀為矩形，導電帶體的四周包覆有絕緣層，其特征在于絕緣層的內壁具有至少一個凹槽，凹槽是沿絕緣層的長度方向延伸的，凹槽并未貫穿絕緣層的外表面，每個凹槽上具有至少一個貫通該凹槽和絕緣層外表面的散熱孔；凹槽位于導電帶體上表面對應的絕緣層的內壁上，或者凹槽位于導電帶體下表面對應的絕緣層的內壁上，或者導電帶體上表面對應的絕緣層的內壁上及導電帶體下表面對應的絕緣層的內壁上都具有凹槽；導電帶體上表面對應的絕緣層的內壁上具有凹槽有多個時，相鄰的凹槽之間形成絕絕層的支撐部分；導電帶體下表面對應的絕緣層的內壁上具有多個凹槽時，相鄰的凹槽之間形成絕絕層的支撐部分；除凹槽外的絕緣層內壁是與所述單根導電帶緊密接觸的。

2.改進結構的絕緣導電帶，它包含有單根導電帶，單根導電帶的橫截面形狀為矩形，單根導電帶的四周包覆有絕緣層，其特征在于絕緣層的內壁具有至少一個凹槽，凹槽是沿絕緣層的長度方向延伸的，凹槽并未貫穿絕緣層的外表面，每個凹槽上具有至少一個貫通該凹槽和絕緣層外表面的散熱孔；除凹槽外的絕緣層內壁是與所述單根導電帶緊密接觸的。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述散熱孔為圓柱形或長方體形。

4.根據權利要求3所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述絕緣層上具有多個剝離槽，剝離槽是不貫通到導電帶體的。

5.根據權利要求3所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述絕緣層上具有多個剝離槽，剝離槽是貫通到導電帶體的。

6.根據權利要求4所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述剝離槽沿絕緣層處的長度為1mm～50mm。

7.根據權利要求5所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述剝離槽沿絕緣層處的長度為1mm～50mm。

8.根據權利要求6或權利要求7所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述導電帶的材料為銅或鋁或銅鎂合金或銅包鋁或鋁鎂合金。

9.根據權利要求8所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述絕緣層的材料為阻燃塑料。

10.根據權利要求9所述的改進結構的絕緣導電帶，其特征在于所述阻燃塑料為阻燃聚氯乙烯或者低煙無鹵聚烯烴或聚四氟乙烯。