[發明專利]改善關鍵尺寸均勻性的方法在審
| 申請號： | 201410222757.5 | 申請日： | 2014-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN105097454A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 孫超;李斌生;張英男;丁超;鐘鑫生 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 關鍵 尺寸 均勻 方法 | ||
1.一種改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
S1：提供一表面形成有光阻層的晶圓，進行曝光及顯影以在所述光阻層中形成若干開口；
S2：對所述晶圓進行電漿預處理以去除所述開口底部殘留的光阻；
S3：對所述晶圓進行Ar/O2電漿處理以進一步對所述光阻層進行刻蝕，并調節Ar與O2的流量比例，使得晶圓邊緣部位的光阻刻蝕速率大于晶圓中間部位的光阻刻蝕速率；
S4：以Ar/O2電漿處理后的光阻層為掩模對所述晶圓進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述O2的流量范圍是1～10sccm，所述Ar的流量范圍是400～1500sccm。
3.根據權利要求1所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：于所述步驟S3中，通過調節Ar與O2的比例，使得流經所述晶圓邊緣部位的O2流量大于流經所述晶圓中間部位的O2流量。
4.根據權利要求3所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：將O2氣路至少分為兩路，其中一路接近所述晶圓中間部位，另外一路接近所述晶圓邊緣部位。
5.根據權利要求3所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：流經所述晶圓邊緣部位的O2流量與流經所述晶圓中間部位的O2流量的比例范圍是6:4～8:2。
6.根據權利要求1所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述Ar/O2電漿處理的時間為5～15s。
7.根據權利要求1所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：于所述步驟S2中，所述電漿預處理采用N2與H2混合氣源。
8.根據權利要求7所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：所述N2的流量范圍是10～100sccm，所述H2的流量范圍是100～200sccm。
9.根據權利要求1所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：于所述步驟S2中，所述電漿預處理時間為5～15s。
10.根據權利要求1所述的改善關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于：于所述步驟S4中，以所述光阻層為掩模對所述晶圓進行刻蝕得到若干用于導電互連的通孔，所述通孔的關鍵尺寸小于60nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
