[發(fā)明專利]顯示基板及其制造方法和顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410214758.5
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN104035240A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張立;劉興東;王燦
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，大尺寸的顯示裝置的應(yīng)用越來越廣泛，其中，大尺寸的顯示裝置可包括：大尺寸的液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，簡稱：LCD)和有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱：AMOLED)面板。由于大尺寸的顯示裝置存在封裝盒厚(Cell?Gap)的極限厚度問題，因此在大尺寸的顯示裝置的結(jié)構(gòu)中，為保證顯示裝置的盒厚則需要形成高度較高的隔墊物(Photo?Spacer，簡稱：PS)，通常隔墊物的厚度達(dá)到10μm以上。并且需要在該隔墊物上形成電極層。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中隔墊物和電極層的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，電極層2形成于隔墊物之上，由于圖1中電極層2披覆于隔墊物的外部，因此圖1中僅標(biāo)注出了電極層2。隔墊物的高度較高且該隔墊物的側(cè)面為長直側(cè)面，高度較高的隔墊物坡度過大，因此在形成電極層時或者在封裝過程中隔墊物承受壓力時，由于披覆于隔墊物之上的電極層2應(yīng)力聚集，因此披覆于隔墊物之上的電極層2容易出現(xiàn)搭接困難，從而導(dǎo)致披覆于隔墊物之上的電極層2出現(xiàn)斷線的現(xiàn)象。其中，電極層2最容易出現(xiàn)斷線的部位并非位于隔墊物頂端棱角處之上的部分，而是位于隔墊物側(cè)面之上的部分及與底邊交界的部分，此種情況可參見圖1中所示，圖1中示出了側(cè)面和底邊交界處出現(xiàn)的斷線。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中，由于隔墊物的高度較高且側(cè)面為長直側(cè)面，導(dǎo)致隔墊物之上的電極層出現(xiàn)應(yīng)力聚集的現(xiàn)象，從而導(dǎo)致位于隔墊物之上的電極層產(chǎn)生斷線的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置，用于避免位于隔墊物之上的電極層產(chǎn)生斷線的現(xiàn)象。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板，包括：襯底基板、位于所述襯底基板上方的隔墊物和位于所述隔墊物上方的電極層，所述隔墊物包括至少二層臺階狀結(jié)構(gòu)。

可選地，每層所述臺階狀結(jié)構(gòu)的高度相同。

可選地，至少二層所述臺階狀結(jié)構(gòu)的寬度向遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向逐層遞減。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括：相對設(shè)置的顯示基板和對置基板，所述顯示基板采用上述顯示基板。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板的制造方法，包括：

在襯底基板的上方形成隔墊物，所述隔墊物包括至少二層臺階狀結(jié)構(gòu)；

在所述隔墊物的上方形成電極層。

可選地，所述在襯底基板的上方形成隔墊物包括：

在所述襯底基板的上方涂覆隔墊物材料層；

通過掩膜板對所述隔墊物材料層進(jìn)行一次曝光，形成完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全不保留區(qū)域；

對曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影，去除所述完全不保留區(qū)域和部分保留區(qū)域中的不保留部分，并保留所述完全保留區(qū)域和所述部分保留區(qū)域中的保留部分以形成所述隔墊物。

可選地，所述在所述襯底基板的上方涂覆隔墊物材料層包括：

通過多次旋涂工藝在所述襯底基板的上方涂覆隔墊物材料層。

可選地，所述在所述襯底基板的上方涂覆隔墊物材料層之后包括：

通過預(yù)烘溫度以預(yù)烘時間對隔墊物材料層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，所述預(yù)烘溫度包括70℃至140℃，所述預(yù)烘時間包括30s至300s。

可選地，所述對所述部分保留區(qū)域和完全不保留區(qū)域進(jìn)行顯影，去除所述完全不保留區(qū)域和部分保留區(qū)域中的不保留部分，并保留所述完全保留區(qū)域和所述部分保留區(qū)域中的保留部分以形成所述隔墊物之后包括：

通過后烘溫度以后烘時間對隔墊物進(jìn)行后烘烤處理，所述后烘溫度包括200℃至270℃，所述后烘時間包括20min至50min。

可選地，所述掩膜板在與每個所述隔墊物對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)至少包括一個透光區(qū)域，每個所述透光區(qū)域具有特定透過率，透過率不同的透光區(qū)域的數(shù)量與所述臺階狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量相同，所述透光區(qū)域用于形成所述完全保留區(qū)域或者所述部分保留區(qū)域。

可選地，所述掩膜板在與每個所述隔墊物對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)包括三個透光區(qū)域，三個所述透光區(qū)域的特定透過率分別包括：1％至10％、20％至50％以及100％。