[發(fā)明專利]鍵合結構及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410199435.3 | 申請日： | 2014-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN105097743B | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種鍵合結構，其特征在于，包括：
鍵合層，所述鍵合層包括鍵合金屬和晶粒細化材料，所述晶粒細化材料用于細化所述鍵合金屬的晶粒；所述鍵合層由所述鍵合金屬和所述晶粒細化材料分層設置而成，且所述鍵合結構包括多層所述鍵合層；
載體層，所述鍵合層設置在所述載體層上；
其中，所述載體層包括粘附層和介質層，所述粘附層設置在所述介質層上，且所述鍵合層設置在所述粘附層上；
所述鍵合結構包括2至10層所述鍵合層。
2.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述鍵合金屬為金屬鋁。
3.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述晶粒細化材料為稀有金屬。
4.根據權利要求3所述的鍵合結構，其特征在于，所述晶粒細化材料為金屬鈦。
5.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述粘附層上設置有沉積槽，且所述鍵合層設置在所述沉積槽內。
6.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述粘附層由等離子增強氧化物形成。
7.根據權利要求1所述的鍵合結構，其特征在于，所述介質層由氮化硅形成。
8.一種形成鍵合結構的方法，其特征在于，包括：
將鍵合金屬和用于細化所述鍵合金屬的晶粒的晶粒細化材料結合形成鍵合層；
沉積一層所述鍵合金屬；
在所述鍵合金屬上沉積一層所述晶粒細化材料；
重復交替地沉積所述鍵合金屬和所述晶粒細化材料。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶粒細化材料的沉積厚度為0.1至10nm。
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶粒細化材料的沉積溫度為5至300攝氏度。
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