[發(fā)明專利]三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410198451.0 | 申請日： | 2014-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN103938245A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙九蓬;王一博;李垚 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C25D9/04 | 分類號： | C25D9/04;H01M4/48 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人： | 侯靜 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 三維 有序 sno sub 薄膜 制備 方法 | ||
1.三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法按照以下步驟進(jìn)行：
一、將鎳箔用體積濃度為10％～30％的鹽酸溶液浸泡5～10s，然后用無水乙醇擦拭鎳箔表面，然后將鎳箔固定在玻璃基片上，得到鎳片，用濃度為0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液或體積濃度為10％的聚苯乙烯無水乙醇溶液處理鎳片，得到生長聚苯乙烯膠體晶體模板的鎳片；
二、使用直流電源，以錫片作為對比電極，以步驟一中生長聚苯乙烯膠體晶體模板的鎳片作為工作電極，在電解液中以6～10mA/cm2的沉積電流密度用恒電流進(jìn)行電沉積10～90min，取出電沉積后的生長聚苯乙烯膠體晶體模板的鎳片，經(jīng)自然風(fēng)干，即得到三維有序大孔SnO2薄膜；
步驟二中所述電解液由SnCl2、NaNO3、HNO3和HCl組成，電解液中SnCl2的濃度為10～30mmol/L，NaNO3的濃度為100mmol/L，HNO3的濃度為75mmol/L，HCl的濃度為32mmol/L。
2.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中用濃度為0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液處理鎳片方法為：將聚苯乙烯水溶液倒入平底燒杯中，再放入鎳片，使聚苯乙烯水溶液的高度位于鎳片的2/3處，然后將平底燒杯置于50℃烘箱內(nèi)烘干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中用體積濃度為10％的聚苯乙烯無水乙醇溶液處理鎳片方法為：將鎳片垂直浸泡于聚苯乙烯無水乙醇溶液中10～20s后提出，重復(fù)操作3～5次，然后將鎳片置于80℃烘箱內(nèi)烘干。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟一中將鎳箔用體積濃度為10％～30％的鹽酸溶液浸泡5～10s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中在電解液中以7mA/cm2的沉積電流密度用恒電流進(jìn)行電沉積40min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中在電解液中以9mA/cm2的沉積電流密度用恒電流進(jìn)行電沉積30min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中在電解液中以8mA/cm2的沉積電流密度用恒電流進(jìn)行電沉積80min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中電解液中SnCl2的濃度為12mmol/L，NaNO3的濃度為100mmol/L，HNO3的濃度為75mmol/L，HCl的濃度為32mmol/L。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中電解液中SnCl2的濃度為20mmol/L，NaNO3的濃度為100mmol/L，HNO3的濃度為75mmol/L，HCl的濃度為32mmol/L。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述三維有序大孔SnO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟二中電解液中SnCl2的濃度為25mmol/L，NaNO3的濃度為100mmol/L，HNO3的濃度為75mmol/L，HCl的濃度為32mmol/L。
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