[發明專利]像素結構及顯示面板

有效

• 申請號: 201410197216.1
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN103984130B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 張吉和;李錫烈
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 梁揮,祁建國

技術領域

本發明關于一種像素結構及顯示面板，尤指一種利用凸塊結構作為薄膜晶體管元件的漏極與像素電極之間的電性連接結構的像素結構及顯示面板。

背景技術

一般而言，顯示面板包括多個像素結構，且各像素結構包括薄膜晶體管元件、儲存電容以及像素電極等元件。在現有顯示面板中，薄膜晶體管元件上會覆蓋一鈍化層，以保護薄膜晶體管元件。由于像素電極必須與薄膜晶體管元件的漏極電性連接，因此鈍化層必須具有一接觸洞暴露出漏極，而像素電極會填入接觸洞內并與漏極接觸。然而，考量到制程極限與對位偏差，接觸洞的尺寸至少必須在20微米至25微米之間，甚至更大，因此會造成開口率的犧牲，特別是在小尺寸顯示面板上，接觸洞的設置將使得開口率與解析度無法進一步提高。

發明內容

本發明的目的之一在于提供一種像素結構及顯示面板，以提升開口率及解析度。

本發明的一實施例提供一種像素結構，包括一第一基板、一薄膜晶體管元件、一第一絕緣凸塊、一第一介電薄膜、一鈍化層以及一第一電極。薄膜晶體管元件設置于第一基板上，且薄膜晶體管元件包括一柵極、一主動層、一柵極絕緣層、一源極以及一漏極。第一絕緣凸塊設置于第一基板上，其中第一絕緣凸塊具有一側壁以及一上表面，且漏極至少覆蓋第一絕緣凸塊的側壁的一部分與上表面的一部分。第一介電薄膜設置于第一基板上，其中第一介電薄膜覆蓋薄膜晶體管元件并暴露出漏極的一部分。鈍化層設置于第一介電薄膜上，其中鈍化層與第一介電薄膜至少部分暴露出位于第一絕緣凸塊的上表面上的漏極。第一電極設置于鈍化層上并與鈍化層所暴露出的漏極電性連接。

本發明的另一實施例提供一種顯示面板，包括上述像素結構、一第二基板與第一基板相對設置，以及一顯示介質層設置于第一基板與第二基板之間。

本發明的又一實施例提供一種像素結構，包括一第一基板、一薄膜晶體管元件、一第一單層導電凸塊、一第一介電薄膜、一鈍化層以及一第一電極。薄膜晶體管元件設置于第一基板上，且薄膜晶體管元件包括一柵極、一主動層、一柵極絕緣層、一源極以及一漏極。第一單層導電凸塊設置于第一基板上，其中第一單層導電凸塊具有一側壁、一下表面以及一上表面，且第一單層導電凸塊與漏極電性連接。第一介電薄膜設置于第一基板上，其中第一介電薄膜覆蓋薄膜晶體管元件并部分暴露出第一單層導電凸塊。鈍化層設置于第一介電薄膜上，其中鈍化層至少部分暴露出第一單層導電凸塊。第一電極設置于鈍化層上并與鈍化層所暴露出的第一單層導電凸塊電性連接。

本發明的再一實施例提供一種顯示面板，包括上述像素結構、一第二基板與第一基板相對設置，以及一顯示介質層設置于第一基板與第二基板之間。

本發明的像素結構與顯示面板使用絕緣凸塊搭配漏極的延伸部或單層導電凸塊作為像素電極與漏極的電性連接結構，而不需于鈍化層形成接觸洞，因此可以大幅提高開口率與解析度。

附圖說明

圖1至圖6繪示了本發明的第一實施例的像素結構的制作方法示意圖；

圖7繪示了本發明的第一實施例的顯示面板的示意圖；

圖8繪示了本發明的第一實施例的第一變化實施例的像素結構的示意圖；

圖9繪示了本發明的第一實施例的第一變化實施例的顯示面板的示意圖；

圖10繪示了本發明的第一實施例的第二變化實施例的像素結構的上視示意圖，圖11為沿圖10的A-A’剖線繪示的像素結構的剖面示意圖；

圖12繪示了本發明的第一實施例的第二變化實施例的顯示面板的示意圖；

圖13繪示了本發明的第一實施例的第三變化實施例的像素結構的示意圖；

圖14繪示了本發明的第一實施例的第三變化實施例的顯示面板的示意圖；

圖15繪示了本發明的第二實施例的像素結構的示意圖；

圖16繪示了本發明的第二實施例的顯示面板的示意圖；

圖17繪示了本發明的第二實施例的第一變化實施例的像素結構的示意圖；

圖18繪示了本發明的第二實施例的第一變化實施例的顯示面板的示意圖；

圖19繪示了本發明的第二實施例的第二變化實施例的像素結構的示意圖；

圖20繪示了本發明的第二實施例的第二變化實施例的顯示面板的示意圖。

其中，附圖標記：

10??第一基板

12??第一圖案化導電層

G???柵極

GL??柵極線

GI??柵極絕緣層

CH??主動層

14??重摻雜半導體層