[發(fā)明專利]一種低損耗石英探針的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410197039.7
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN103985948A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙飛;黨元蘭;梁廣華;劉曉蘭;劉巍巍;楊宗亮;唐小平;朱二濤;嚴英占;王康;徐亞新
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第五十四研究所
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 河北東尚律師事務(wù)所 13124
• 代理人: 王文慶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于實現(xiàn)低損耗微波、毫米波電路關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適用于低損耗石英探針的制備方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，模塊的工作頻率不斷提高。在微波、毫米波模塊特別是功率模塊中，損耗的控制極為重要。因此，為提升性能，模塊中低損耗器件的應(yīng)用顯得尤為重要。

在眾多功率模塊中，探針多使用Rogers5880軟基板進行加工。由于軟基板存在損耗因子高、加工一致性差、裝配難度高、耐腐蝕性差等問題，在高頻電路中應(yīng)用受到局限。特別是在功率模塊中，較高的損耗因子制約了模塊的合成效率。現(xiàn)采用的石英基板加工的探針，損耗低、加工一致性好，對合成效率有大幅提升。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種低損耗石英探針的制備方法，用于解決上述的技術(shù)難題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種低損耗石英探針的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)使用有機清洗液對石英基片進行清洗；

(2)對步驟(1)中清洗后的石英基片進行磁控濺射，在石英基片上依次形成鈦鎢粘附層和金種子層；

(3)在金種子層上進行涂覆光刻膠層，之后將帶有探針圖形的掩膜版覆蓋在光刻膠層上進行曝光處理，再將整個石英基片上與探針圖形位置相對應(yīng)處的光刻膠層進行去除，在整個石英基片上形成探針圖形；

(4)對步驟(3)中光刻后的探針圖形進行電鍍金加厚，在金種子層上形成金層電路；

(5)將金種子層上剩余的光刻膠層進行去除；

(6)對步驟(5)中處理后的整個石英基片進行涂覆光刻膠層，再將整個石英基片上與探針圖形位置相對應(yīng)處之外的光刻膠層進行去除；

(7)將整個石英基片上與探針圖形位置相對應(yīng)處之外的鈦鎢粘附層和金種子層進行去除；

(8)將金層電路上剩余的光刻膠層進行去除；

完成低損耗石英探針的制備。

其中，步驟(1)中石英基片的長度為50.8mm，寬度為50.8mm，厚度為0.254mm；石英基片雙面拋光。

其中，步驟(2)中鈦鎢粘附層厚度為500埃～1000埃，金種子層厚度為2000埃～3000埃。

其中，步驟(3)中光刻膠層厚度為6μm～7μm。

其中，步驟(4)中金層電路厚度為4μm～5μm。

其中，步驟(5)中將金種子層上剩余的光刻膠層進行去除的去膠溶液為丙酮。

其中，步驟(6)中光刻膠層厚度為3μm～4μm。

其中，步驟(7)中是采用濕法刻蝕來去除鈦鎢粘附層和金種子層的，鈦鎢粘附層的刻蝕溶液為雙氧水，金種子層的刻蝕溶液為碘化鉀。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所取得的有益效果為：

本發(fā)明所述的石英探針具有硬度高、損耗低、精度高的優(yōu)點，適用于微波、毫米波模塊，特別是功放模塊的應(yīng)用中。

附圖說明

圖1是石英探針加工工藝流程圖。

圖2是石英探針加工過程示意圖。

具體實施方式

下面，結(jié)合圖1和圖2對本發(fā)明作進一步說明。

一種低損耗石英探針的制備方法，其加工工藝流程如圖1所示，具體包括以下步驟：

(1)使用有機清洗液對石英基片進行清洗。

將長度為50.8mm、寬度為50.8mm、厚度為0.254mm、雙面拋光的石英基片放置于盛有丙酮的燒杯中，使用超聲波清洗5～10分鐘，然后將石英基片取出放置于盛有酒精的燒杯中，使用超聲波清洗5～10分鐘，以清洗石英基片表面污物，清洗結(jié)束后取出備用。

(2)對步驟(1)中清洗后的石英基片進行磁控濺射，在石英基片上依次形成鈦鎢粘附層和金種子層；

將清洗后的石英基片進行放入磁控濺射設(shè)備中，在石英基片上依次濺射鈦鎢粘附層和金種子層，其中，鈦鎢粘附層厚度為500埃～1000埃，金種子層厚度為2000埃～3000埃。

(3)在金種子層上進行涂覆光刻膠層，之后將帶有探針圖形的掩膜版覆蓋在光刻膠層上進行曝光處理，再將整個石英基片上與探針圖形位置相對應(yīng)處的光刻膠層進行去除，在整個石英基片上形成探針圖形；

對濺射后的石英基片進行涂覆光刻膠層，光刻膠層厚度為6μm～7μm，然后在100℃下烘干2分鐘～5分鐘，之后將帶有探針圖形的掩膜版覆蓋在光刻膠層上進行曝光處理，曝光后的石英基片放入配套的顯影液中進行顯影處理，去除石英基片上與探針圖形位置相對應(yīng)處的光刻膠層，形成探針圖形。