[發(fā)明專利]一種電容觸摸屏的制作工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410196517.2
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN104090694A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪峻銘
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江金指科技有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 杭州華鼎知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33217
• 代理人: 胡根良

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及觸摸屏領(lǐng)域，特別是一種電容觸摸屏的制作工藝。

背景技術(shù)

目前on-cell電容式觸摸屏普遍采用各種單層多點電容式觸摸傳感器結(jié)構(gòu)，都能支持多點觸摸的使用要求，但單觸屏的反應(yīng)速度、靈敏度有所欠缺。此外現(xiàn)有工藝中金屬導電膜、ITO導電膜的厚度波動范圍較大，黃光制程工藝實施不便，良品率不高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要達到的目的是提供一種電容觸摸屏的制作工藝，用于制作高靈敏度的on-cell電容式觸摸屏，且ITO導電膜的厚度波動范圍小。

為了達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種電容觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，取帶有彩色濾光片的液晶顯示玻璃層，在彩色濾光片上沉積金屬導電膜，并蝕刻過橋、引線、引點；在金屬導電膜上覆蓋OC絕緣層；在OC絕緣層上沉積ITO導電膜，ITO導電膜的厚度為130納米-140納米，蝕刻ITO圖形，并與金屬導電膜的過橋電連接；在ITO導電膜上固定柔性引線；使用透明光學膠將玻璃蓋板貼合至ITO導電膜上，制成電容觸摸屏。

進一步的，所述金屬導電膜的厚度為150納米-200納米。

進一步的，所述OC絕緣層的厚度為15納米-20納米。

進一步的，沉積所述ITO導電膜的溫度為215℃-225℃。

采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明具有如下優(yōu)點：

在on-cell電容式觸摸屏中使用SITO工藝，提高了觸摸屏的靈敏度，同時可保持ITO導電膜的厚度較為均勻，便于黃光制程工藝實施，提高了良品率。

具體實施方式

一種電容觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，取帶有彩色濾光片的液晶顯示玻璃層，在彩色濾光片上沉積金屬導電膜，保持金屬導電膜的厚度在150納米-200納米之間，以盡量靠近175納米為優(yōu)選，并蝕刻過橋、引線、引點；在金屬導電膜上覆蓋OC絕緣層，保持OC絕緣層的厚度在15納米-20納米，以盡量靠近17.5納米為優(yōu)選；在OC絕緣層上使用220℃的溫度(也可以使用215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉積ITO導電膜，保持ITO導電膜的厚度在130納米-140納米之間，以盡量靠近135納米為優(yōu)選，蝕刻ITO圖形，并與金屬導電膜的過橋電連接；在ITO導電膜上固定柔性引線；使用透明光學膠將玻璃蓋板貼合至ITO導電膜上，制成電容觸摸屏。

在on-cell電容式觸摸屏中使用SITO工藝，提高了觸摸屏的靈敏度，同時可保持ITO導電膜的厚度較為均勻，便于黃光制程工藝實施，提高了良品率。

除上述優(yōu)選實施例外，本發(fā)明還有其他的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明作出各種改變和變形，只要不脫離本發(fā)明的精神，均應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求所定義的范圍。