[發(fā)明專利]分路數(shù)據(jù)獲取信號鏈路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410191973.8 | 申請日: | 2014-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN104143981A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·科爾恩;L·D.·費(fèi)爾南多 | 申請(專利權(quán))人: | 美國亞德諾半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號: | H03M1/12 | 分類號: | H03M1/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分路 數(shù)據(jù) 獲取 信號 | ||
1.用于提供分路數(shù)據(jù)獲取信號鏈路的集成電路,所述集成電路包括:
輸入端子,其用于接收模擬信號;
輸出端子,其用于輸出數(shù)字信號;以及
至少兩個頻率電路通道,其與所述輸入端子和所述輸出端子耦合,其中所述至少兩個頻率電路通道配置為處理所述模擬信號的不同頻率成分并且將處理后的、不同頻率成分重新組合,從而提供所述數(shù)字信號。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中所述至少兩個頻率電路通道包括:
第一頻率電路通道,其與所述輸入端子和所述輸出端子耦合,其中所述第一頻率電路通道配置為處理所述模擬信號的第一頻率成分;以及
第二頻率電路通道,其與所述輸入端子和所述輸出端子耦合,其中所述第二頻率電路通道配置為處理所述模擬信號的第二頻率成分。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路,其中所述第一頻率電路通道是基于電容器的電路并且所述第二頻率電路通道是基于電阻器的電路。
4.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中所述基于電容器的電路包括電容反饋放大器。
5.如權(quán)利要求4所述的集成電路,其中所述電容反饋放大器包括:
運(yùn)算放大器,其具有反相輸入、非反相輸入和輸出;
第一電容器,其與所述輸入端子和所述反相輸入耦合;
第二電容器,其與所述反相輸入和所述輸出耦合。
6.如權(quán)利要求5所述的集成電路,其中所述電容反饋放大器還包括與所述反相輸入耦合的開關(guān)電容器電阻器。
7.如權(quán)利要求4所述的集成電路,其中所述基于電容器的電路還包括與所述電容反饋放大器耦合的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器。
8.如權(quán)利要求3所述的集成電路,其中所述基于電阻器的電路包括電阻分壓器。
9.如權(quán)利要求8所述的集成電路,其中所述基于電阻器的電路還包括與所述電阻分壓器耦合的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器。
10.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中所述輸入端子配置為接收差分模擬信號。
11.用于提供分路數(shù)據(jù)獲取信號鏈路的集成電路,所述集成電路包括:
輸入端子,其用于接收模擬信號;
輸出端子,其用于接收數(shù)字信號;
基于電容的電路,其與所述輸入端子和所述輸出端子耦合,其中所述基于電容的電路配置為處理所述模擬信號的第一頻率成分;
基于電阻的電路通道,其與所述輸入端子和所述輸出端子耦合,其中所述基于電阻的電路通道配置為處理所述模擬信號的第二頻率成分;以及
其中所述基于電容的電路和所述基于電阻的電路耦合,使得處理后的第一頻率成分和處理后的第二頻率成分組合以提供所述數(shù)字信號。
12.如權(quán)利要求11所述的集成電路,其中:
所述基于電容的電路包括:
電容反饋放大器,以及
第一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,其與所述電容反饋放大器耦合;以及
所述基于電阻的電路通道包括:
電阻分壓器,以及
第二模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,其與所述電阻分壓器耦合。
13.如權(quán)利要求12所述的集成電路,其中:
所述基于電容的電路還包括與所述第一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器耦合的定標(biāo)部件;以及
所述基于電阻的電路還包括與所述第二模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器耦合的低通濾波器。
14.如權(quán)利要求13所述的集成電路,其中所述基于電容的電路還包括與所述電容反饋放大器耦合的開關(guān)電容器電阻器。
15.如權(quán)利要求14所述的集成電路,其中所述開關(guān)電容器電阻器和所述低通濾波器配置為在相稱時鐘頻率下工作。
16.如權(quán)利要求11所述的集成電路,其中所述輸入端子配置為接收差分模擬信號。
17.如權(quán)利要求11所述的集成電路,其中所述第一頻率成分包括所述模擬信號的高AC頻率成分并且所述第二頻率成分包括所述模擬信號的DC頻率成分。
18.如權(quán)利要求17所述的集成電路,其中所述第二頻率成分還包括所述模擬信號的低AC頻率成分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于美國亞德諾半導(dǎo)體公司,未經(jīng)美國亞德諾半導(dǎo)體公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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