[發(fā)明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410186626.6
• 申請日: 2014-05-05
• 公開（公告）號: CN105097430B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設計）人: 李海艇;黃河
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

步驟S101：提供包括承載襯底、嵌入式絕緣層和上層硅襯底的SOI襯底，在所述SOI襯底上形成硅光器件；

步驟S102：在所述上層硅襯底的用于接合裸晶的區(qū)域形成阻擋層；

步驟S103：形成覆蓋所述上層硅襯底以及所述阻擋層的介電層以及位于所述介電層內(nèi)的互連組件；

步驟S104：對所述介電層進行刻蝕以形成用于接合裸晶的開口，其中所述開口暴露出所述阻擋層；

步驟S105：去除所述阻擋層，去除過程不會對所述阻擋層下方的所述上層硅襯底造成損傷；

步驟S106：通過所述開口在所述上層硅襯底上接合裸晶。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：在所述上層硅襯底之上形成阻擋材料層；

步驟S1022：對所述阻擋材料層進行刻蝕，去除其位于所述上層硅襯底的用于接合裸晶的區(qū)域之外的部分。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，形成所述阻擋材料層的方法包括沉積法。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料包括非晶碳。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中，形成所述硅光器件的方法包括離子注入。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中，所述介電層包括層間介電層和位于其上的金屬間介電層，所述互連組件包括位于形成于所述層間介電層內(nèi)的接觸孔中的導電插塞和位于所述層間介電層上方的連接所述導電插塞的金屬互連線。

7.如權(quán)利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S103包括：

步驟S1031：在所述上層硅襯底的上方形成層間介電層；

步驟S1032：在所述層間介電層內(nèi)形成接觸孔，并在所述接觸孔中形成導電插塞；

步驟S1033：在所述層間介電層的上方形成與所述導電插塞相連的金屬互連線；

步驟S1034：形成位于所述層間介電層的上方并覆蓋所述金屬互連線的金屬間介電層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105中，所述阻擋層的材料包括非晶碳，去除所述阻擋層的方法包括灰化法和/或氧化法。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105與所述步驟S106之間還包括步驟S1056：對所述開口進行濕法清洗。

10.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S106中，所接合的裸晶包括三五族GaAs裸晶。