[發明專利]一種基于無機物的復合LED積層電路板的制造方法

有效

• 申請號: 201410182904.0
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN105023990B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 嚴敏;程君;周鳴波
• 申請（專利權）人: 環視先進數字顯示無錫有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京權泰知識產權代理事務所(普通合伙)11460
• 代理人: 王道川,楊勇

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種基于無機物的復合LED積層電路板的制造方法。

背景技術

在傳統的半導體顯示器產品發展到今天，配套的或是交叉行業的資源已經極大地豐富和完善。在傳統的LED產品結構中，通常采用FR4電路板用來做LED電路基板。

但是，在傳統電路板作為LED電路基板時，其材料的材質里存在的雜質，氣孔，熱應力，熱膨脹等缺陷，都會造成致命的產品穩定性信賴性的隱患。而且在半導體顯示器的分辨率提高到一定程度時(例如像素間距要求小于1MM時)無法實現加工。因此傳統電路板是完全沒法滿足小尺寸、高精度的要求的。同時，后續與LED的接合工藝繁瑣，一個LED電路基板承載的多個LED晶片間性能的一致性無法得到保障，可能會對最終產品的性能造成影響。

發明內容

本發明的目的是提供一種基于無機物的復合LED積層電路板的制造方法，能夠充分利用半導體顯示器這類在同一產品個體里同時大規模使用同一類器件的產品特點，工藝簡單穩定，尤其適用于要求小尺寸晶片間距的高分辨率的要求，通過該方法制備的晶格適配層結構為后續直接在LED積層電路板上生長LED晶片提供了可能。

本發明提供了一種基于無機物的復合LED積層電路板的制造方法，包括：

對SiC-Cu復合基板進行激光鉆通孔加工；

對SiC-Cu復合基板的第一表面鍍導電介質；

對SiC-Cu復合基板的第二表面鍍導電介質；其中所述通孔由所述導電介質完全填充；

對所述SiC-Cu復合基板的第一表面的導電介質進行圖形化刻蝕；

對所述SiC-Cu復合基板的第二表面的導電介質進行圖形化刻蝕；

氣相淀積SiO₂，形成基板保護層；

對所述SiC-Cu復合基板的上表面的基板保護層進行圖形化刻蝕，在圖形化區域內露出導電介質；

在所述金屬焊盤電極上生長晶格適配層；所述晶格適配層的晶格結構與所述LED的晶格結構相同。

優選的，在氣相淀積SiO₂，形成基板保護層之前，所述方法還包括以下步驟：

氣相淀積SiC，形成圖形化刻蝕區域的填充層及SiC-Cu復合基板的表面絕緣層；

對所述SiC-Cu復合基板的表面絕緣層進行圖形化刻蝕，刻蝕至圖形化區域內露出導電介質；

對SiC-Cu復合基板的整板鍍導電介質；

對所述SiC-Cu復合基板的第一表面的導電介質進行圖形化刻蝕；

對所述SiC-Cu復合基板的第二表面的導電介質進行圖形化刻蝕。

進一步優選的，在氣相淀積SiO₂，形成基板保護層之前，上述步驟重復一次或多次。

優選的，在氣相淀積SiO₂之前，還包括表面清洗的步驟。

優選的，所述晶格適配層具體包括：SiC、Cr、Ni、Au、Ti、Sn、ZnO、As、Ga、Ge、In中的任意一種或多種。

優選的，所述積層電路板的頂層的基板保護層的厚度為10％～20％頂層的導電介質的厚度。

優選的，所述積層電路板的底層的基板保護層的厚度為10％～20％底層的導電介質的厚度。

進一步優選的，所述底層的圖形化刻蝕的導電介質構成多個用于與外部芯片或電路進行電連接的接觸電極。

優選的，所述第一表面為所述LED積層電路板的頂面，所述第二表面為所述LED積層電路板的底面。

優選的，所述第一表面為所述LED積層電路板的底面，所述第二表面為所述LED積層電路板的頂面。

本發明提供的基于無機物的復合LED積層電路板的制造方法，采用無機物SiC作為基板，在基板上制備導電層和絕緣層，并在最外導電層上制備晶格適配層，為后續直接在LED積層電路板上生長LED晶片提供了可能。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的基于無機物的復合LED積層電路板的制造方法；

圖2為本發明實施例提供的LED積層電路板的制造步驟示意圖之一；

圖3為本發明實施例提供的LED積層電路板的制造步驟示意圖之二；

圖4為本發明實施例提供的LED積層電路板的制造步驟示意圖之三；

圖5為本發明實施例提供的LED積層電路板的制造步驟示意圖之四；

圖6為本發明實施例提供的LED積層電路板的制造步驟示意圖之五；

圖7為本發明實施例提供的LED積層電路板的制造步驟示意圖之六；