[發明專利]低共模耦合效應的片上電感及其設計方法有效
| 申請號: | 201410182110.4 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN103928446B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發明(設計)人: | 賈天宇;吳悅 | 申請(專利權)人: | 無錫中感微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/64 | 分類號: | H01L23/64 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司32236 | 代理人: | 戴薇 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市新區清源路18*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低共模 耦合 效應 電感 及其 設計 方法 | ||
1.一種片上電感的設計方法,所述片上電感生成于晶圓基底之上,其包括第一連接端、第二連接端及連接于第一連接端和第二連接端之間的線路,所述線路繞成多匝線圈,
其特征在于,其包括:
確定所述片上電感的中間抽頭是否需要經過所述線圈的中心并穿過所述線圈,如果是,則將所述線圈的匝數設計為奇數,如果否,則將所述線圈的匝數設計為偶數,使得所述中間抽頭、所述第一連接端和第二連接端位于所述線圈的同側。
2.根據權利要求1所述的片上電感的設計方法,其特征在于,所述片上電感整體形成沿一對稱軸的軸對稱圖形,
該對稱軸穿過所述線圈的中心,
第一連接端位于該對稱軸的一側,第二連接端位于該對稱軸的另一側并與第一連接端沿所述對稱軸對稱,所述中間抽頭位于所述對稱軸上,并沿所述對稱軸成自對稱圖形。
3.根據權利要求1所述的片上電感的設計方法,其特征在于,
所述線路中的一部分位于基底上的第一結構層,所述線路中的另一部分位于基底上的第二結構層,所述第一結構層與所述第二結構層屬于所述基底上的不同的結構層。
4.根據權利要求1所述的片上電感的設計方法,其特征在于,其還包括:
確定是否必須為所述片上電感設置中間抽頭,如果否,則不為所述片上電感設置中間抽頭,如果是,才執行確定所述片上電感的中間抽頭是否需要穿過所述線圈的步驟。
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