[發(fā)明專利]一種快速高效制備硫化銅納米薄膜的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410179772.6 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN103938189A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 夏國棟;王素梅 | 申請(專利權(quán))人: | 齊魯工業(yè)大學 |
| 主分類號: | C23C18/00 | 分類號: | C23C18/00;C01G3/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人: | 張貴賓 |
| 地址: | 250353 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 快速 高效 制備 硫化銅 納米 薄膜 方法 | ||
1.一種快速高效制備硫化銅納米薄膜的方法,其特征在于包括如下技術(shù)方案:
(1)?合成單源前驅(qū)體:采用沉淀法合成單源黃原酸銅前驅(qū)體;
(2)?制備前驅(qū)體溶液:將單源黃原酸銅前驅(qū)體溶解在吡啶或含吡啶基團溶劑中,制備出均勻的濃度為0.01-2.5g/ml的黃原酸銅前驅(qū)體溶液;
(3)?制備硫化銅薄膜:將黃原酸銅前驅(qū)體溶液涂覆到清洗好的襯底上形成前驅(qū)體薄膜,然后經(jīng)過一定溫度、時間和氣氛的退火,就可得到硫化銅薄膜或顆粒層。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銅薄膜的簡單高效制備方法,其特征在于:所述單源黃原酸銅前驅(qū)體為不同鏈長的烷基,即乙基黃原酸銅、丙基黃原酸銅、異丙基黃原酸銅、丁基黃原酸銅、異丁基黃原酸銅、叔丁基黃原酸銅、戊基黃原酸銅、異戊基黃原酸銅和叔戊基黃原酸銅中的一種或幾種。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銅薄膜的簡單高效制備方法,其特征在于:所述沉淀法合成黃原酸銅前驅(qū)體,是由黃原酸鈉或黃原酸鉀與可溶的銅鹽反應生成黃原酸銅沉淀,過濾、洗劑、干燥得單源黃原酸銅前驅(qū)體。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銅薄膜的簡單高效制備方法,其特征在于:所述單源黃原酸銅前驅(qū)體也可采用有機合成方法制備。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銅薄膜的簡單高效制備方法,其特征在于:所述退火溫度為110-350?℃,退火時間為5-120分鐘,?退火氣氛為空氣、真空、氮氣、氬氣、氫氣中的一種或幾種。
6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銅薄膜的簡單高效制備方法,其特征在于:所述涂覆方法為旋轉(zhuǎn)涂覆法、滴涂法、浸涂法、噴霧法或噴墨打印法。
7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銅薄膜的簡單高效制備方法,其特征在于:所述襯底為剛性襯底,如玻璃片、硅片;或柔性襯底,如金屬片、塑料片;或多孔材料,如多孔的氧化鈦、氧化鋁。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產(chǎn)物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





